1.一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构的制备方法，其特征在于该方法具体是：将硫源、钼源、钨源、生长衬底采用化学气相沉积法，通过控制衬底与钨源之间空间使钼源、钨源与硫源蒸气反应，并在生长衬底上制备得到以单层WS2为底层、单层MoS2为顶层的二维WS2/MoS2垂直异质结构；其中钼源采用金属钼箔，钨源为纳米级三氧化钨粉末，硫源为硫粉；

所述化学气相沉积法是在双温区水平管式炉中进行，按照气流方向依次设定为硫源区和沉积区两个温区，其中硫源区放置硫源，沉积区放置钼源、钨源、生长衬底，钨源平铺在钼源上方，衬底置于钨源上方。

2.如权利要求1所述的一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构的制备方法，其特征在于衬底与钨源之间的垂直间距为1.1‑1.3毫米。

3.如权利要求1所述的一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构的制备方法，其特征在于双温区水平管式炉中先将衬底所在温区升温至预热温度，再加热硫源所在温区，使衬底和S源所在温区同时达到各自的预设温度；预热温度为540‑560℃，衬底所在温区的预设温度为910‑

920℃，硫源温区的预设温度为260‑280℃。

4.如权利要求1所述的一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构的制备方法，其特征在于三氧化钨粉末的粒径小于100纳米；生长衬底为Si/SiO2的硅衬底。

5.如权利要求1所述的一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构的制备方法，其特征在于生长衬底在双温区水平管式炉前进行洗净烘干，具体是将衬底在丙酮溶液中浸渍10‑15分钟，再在乙醇溶液中超声清洗10‑15分钟，随后用去离子水冲洗3‑5次，最后利用高纯氮气吹干备用。

6.如权利要求1所述的一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构的制备方法，其特征在于两个温区的间距为16‑18厘米。

7.如权利要求1所述的一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构的制备方法，其特征在于沉积反应时间为15‑20分钟。

8.如权利要求1所述的一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构的制备方法，其特征在于氩气的流量为45立方厘米/分钟。

9.一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构采用如权利要求1‑9任一所述的方法制备得到。

10.如权利要求9所述的一种二维钼‑钨‑硫垂直异质结构在作为晶体管的沟道材料上的应用。