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专利号: 2020112314382
申请人: 长春理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-26
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于环形腔混合端泵脉冲输出中红外激光器,其特征在于,包括

多个泵浦装置,相邻两个所述泵浦装置按照预设角度放置,所述泵浦装置包括半导体激光器和耦合透镜组,每个所述耦合透镜组的一侧均放置有复合晶体,所述耦合透镜组和复合晶体之间均放置有二色镜,多个所述二色镜构成环形谐振腔;

声光调Q开关(15),位于复合晶体和二色镜之间,并沿所述环形谐振腔内振荡光束的传播方向放置;

全反镜(5),位于所述二色镜反射的光路上。

2.根据权利要求书1所述的一种基于环形腔混合端泵脉冲输出中红外激光器,其特征在于,所述复合晶体为Er:Cr:YSGG/YSGG,Er:Cr:YSGG/YSGG由Er:Cr:YSGG晶体两端键合YSGG晶体组成。

3.根据权利要求书2所述的一种基于环形腔混合端泵脉冲输出中红外激光器,其特征在于,所述复合晶体的外侧包裹有铟箔,所述铟箔安装在铜块内。

4.根据权利要求书1-3任一所述的一种基于环形腔混合端泵脉冲输出中红外激光器,其特征在于,每个所述二色镜的双面均镀有970nm高透膜、654nm高透膜和450nm高透膜中的一种,每个所述二色镜在靠近所述复合晶体一面镀有2.79μm高反射率膜以及970nm高反射率膜、654nm高反射率膜和450nm高反射率膜中的一种。

5.根据权利要求书4所述的一种基于环形腔混合端泵脉冲输出中红外激光器,其特征在于,

所述半导体激光器至少为三个,包括第一半导体激光器(1)、第二半导体激光器(8)和第三半导体激光器(10);

所述二色镜(4)为三个,包括第一二色镜(3)、第二二色镜(6)和第三二色镜(12);

所述复合晶体为三个,包括第一复合晶体(4)、第二复合晶体(9)和第三复合晶体(13)。

6.根据权利要求书5所述的一种基于环形腔混合端泵脉冲输出中红外激光器,其特征在于,所述第一半导体激光器(1)为970nm半导体激光器、所述第二半导体激光器(8)为

654nm半导体激光器,所述第三半导体激光器(10)为450nm半导体激光器;

所述第一二色镜(3)、第二二色镜(6)和第三二色镜(12)双面分别镀有970nm60度高透膜、654nm60度高透膜和450nm60度高透膜,所述第一二色镜(3)在靠近与所述第一复合晶体(4)的一面镀有2.79μm高反射率膜以及450nm60度高反射率膜,所述第二二色镜(6)在靠近所述第二复合晶体(9)的一面镀有2.79μm高反射率膜以及970nm60度高反射率膜,所述第三二色镜(12)在靠近所述第三复合晶体(13)的一面分别镀有2.79μm高反射率膜以及654nm60度高反射率膜。

7.根据权利要求书5所述的一种基于环形腔混合端泵脉冲输出中红外激光器,其特征在于,还包括第四半导体激光器(16)、第四二色镜(18)和第四二复合晶体(19)。

8.根据权利要求书7所述的一种基于环形腔混合端泵脉冲输出中红外激光器,其特征在于,所述第四半导体激光器(16)为654nm半导体激光器;

所述第一二色镜(3)、第二二色镜(8)、第三二色镜(12)和第四二色镜(18)的双面分别镀有970nm45度高透膜、654nm45度高透膜、450nm45度高透膜和654nm45度高透膜,所述第一二色镜(3)在靠近与所述第一复合晶体(4)一面镀有2.79μm高反射率膜以及654nm45度高反射率膜,所述第二二色镜(8)在靠近与所述第二复合晶体(9)一面镀有2.79μm高反射率膜以及970nm45度高反射率膜,所述第三二色镜(12)在靠近所述第三复合晶体(13)一面分别镀有2.79μm高反射率膜以及654nm45度高反射率膜,所述第四二色镜(18)在靠近所述第四复合晶体(19)一面分别镀有2.79μm高反射率膜以及450nm45度高反射率膜。

9.根据权利要求书1所述的一种基于环形腔混合端泵脉冲输出中红外激光器,其特征在于,所述声光调Q开关(15)的一端与高频振荡电源电连接。

10.根据权利要求书7所述的一种基于环形腔混合端泵脉冲输出中红外激光器,其特征在于,所述声光调Q开关(15)采用TeO2作为声光晶体。