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专利号: 2020112512114
申请人: 临沂大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种自激发拉曼复合功能晶体钨钼酸铋,其特征在于:化学式为Bi2Mo0.23W1.77O9,属于正交晶系,Pbcn(No.60)空间群。

2.一种权利要求1所述的自激发拉曼复合功能晶体钨钼酸铋的晶体生长方法,其特征在于:包括步骤如下:

将Bi2O3、MoO3和WO3按照化学计量比配料,采用球磨机充分混合均匀后在压料机上压实,在300~600℃范围内进行固相烧结,合成钨钼酸铋多晶,与助熔剂按照摩尔比为1:(0.2‑6)充分混合均匀,放入铂坩埚,升温使原料完全熔化,调温至750℃,下入铂籽晶杆并使之转动,程序降温使晶体自发结晶;

或者将Bi2O3、WO3和MoO3按照化学计量比配料,加入到助熔剂中,与助熔剂按照摩尔比为

1:(0.2‑6),放入铂坩埚,升温使原料完全熔化,调温至750℃,降温至高温溶液的饱和温度,下入钨钼酸铋籽晶并转动,降温使晶体生长;

所述助熔剂为下列之一:

a)Bi2O3‑MoO3,其中Bi2O3与MoO3摩尔比在1~1.8:1;

b)Bi2O3;

c)MoO3;

d)Li2O‑B2O3,其中Li2O与B2O3的摩尔比在0.5~2:1。

3.如权利要求2所述的晶体生长方法,其特征在于:钨钼酸铋晶体的生长温度区间为

700~750℃,降温速率为0.005~3℃/h。

4.如权利要求2所述的晶体生长方法,其特征在于:钨钼酸铋晶体的生长温度区间为

730~750℃,降温速率为0.01~1℃/h。

5.如权利要求2所述的晶体生长方法,其特征在于:钨钼酸铋晶体生长的晶转参数为:转速10~45r/min,运行20~200s,停止20~60s,反向运行20~200s。

6.如权利要求2所述的晶体生长方法,其特征在于:在Bi2O3、MoO3、WO3中,加入摩尔分数为0.1~20%的稀土激活离子。