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专利号: 2020112848375
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-04-03
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.基于微扰矩形腔的双模基片集成波导滤波器,其特征在于包括SIW矩形腔、直线型金属化通孔阵列微扰、输入耦合窗、输出耦合窗、输入转接器、输出转接器、输入端口和输出端口;

直线型金属化通孔阵列微扰的中心与SIW矩形腔的中心重合,且直线型金属化通孔阵列沿x轴向排列;x轴向与SIW矩形腔的宽度方向相同;

输入耦合窗、输出耦合窗位于SIW矩形腔的y轴向两侧壁处,且两者错开设置;输入耦合窗、输出耦合窗处无金属化通孔设置;y轴向与SIW矩形腔的长度方向相同;

输入耦合窗和输出耦合窗的中点在y轴方向上偏离腔体中心的距离s不为0;

定义输入端口与TE101模和TE201模的耦合系数分别为MS1和MS2, 输出端口与TE101模和TE201模的耦合系数分别为ML1和ML2;根据TE101模和TE201模的场分布,得出MS1=ML1, MS2=‑ML2;

当MS1/MS2>1时,该双模滤波器将在上阻带产生一个传输零点,而且MS1/MS2越大,该传输零点离通带的距离越近;MS1/MS2的大小通过调节输入/输出耦合窗的位置进行控制。

2.如权利要求1所述的基于微扰矩形腔的双模基片集成波导滤波器,其特征在于直线型金属化通孔阵列的长度与SIW矩形腔宽度之比c/w小于0.6。

3.如权利要求1或2所述的基于微扰矩形腔的双模基片集成波导滤波器,其特征在于输入耦合窗、输出耦合窗宽度相同。

4.如权利要求1或2所述的基于微扰矩形腔的双模基片集成波导滤波器,其特征在于输入转接器和输出转接器均采用梯形渐变线的形式进行阻抗匹配。

5.如权利要求1或2所述的基于微扰矩形腔的双模基片集成波导滤波器,其特征在于输入端口和输出端口均采用50欧姆微带线进行馈电。

6.如权利要求1所述的基于微扰矩形腔的双模基片集成波导滤波器,其特征在于通过调节直线型金属化通孔阵列微扰的长度,控制双模SIW滤波器通带的带宽。

7.如权利要求1所述的基于微扰矩形腔的双模基片集成波导滤波器,其特征在于通过调节SIW矩形腔的长宽比,控制双模SIW滤波器的上阻带无杂散带宽。

8.如权利要求1所述的基于微扰矩形腔的双模基片集成波导滤波器,其特征在于通过调节输入/输出耦合窗的位置,控制双模SIW滤波器响应中传输零点的位置。

9.如权利要求1所述的基于微扰矩形腔的双模基片集成波导滤波器,其特征在于当SIW矩形腔的长宽比大于2时,TE301模成为了距离通带最近的高次模,由TE301模引起的寄生耦合与TE101模和TE201模相互作用,能够在低于TE301模的谐振频率的位置产生另一个传输零点,该传输零点的位置通过调节输入、输出耦合窗的位置进行控制。