1.一种中红外波段激光器外延结构，其特征在于，包括依次设置于衬底上的过滤缓冲层、n型波导层、n型限制层、有源区、p型限制层、p型波导层和p型覆盖层；所述过滤缓冲层包括InxGa1-xAsySb1-y，其中，0

增强化学气相沉积法；优选地，步骤c)中，曝光采用电子束曝光法；优选地，步骤d)中，刻蚀采用反应离子刻蚀法；优选地，步骤e)中，刻蚀采用电感耦合等离子体法。9.一种权利要求6所述的中红外波段微腔激光器或权利要求7或8所述的制备方法制备得到的中红外波段微腔激光器在非线性光学、量子光学、光子集成或物质检测中的应用。10.一种检测器件，其特征在于，包括权利要求6所述的中红外波段微腔激光器或权利要求7或8所述的制备方法制备得到的中红外波段微腔激光器。