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专利号: 2020113056797
申请人: 西南交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 光学
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种低串扰的硅基阵列波导光栅,其特征在于,基底和上包层采用二氧化硅材料,主体波导光栅结构采用硅材料;

主体波导光栅由三部分组成:输入输出波导、两个罗兰圆结构型自由传播区波导、阵列波导;

在阵列波导以及输入输出波导和自由传播区波导的连接处,使用抛物线锥形波导作为过渡;在输出端优化调节波导的占空比来提高信道的分离度,降低信道串扰。

2.根据权利要求1所述的一种低串扰的硅基阵列波导光栅,其特征在于,所述阵列波导之间具有固定的长度差,该长度差由下式计算得到:其中,m为阵列波导光栅的衍射级数,λ0为中心波长,nc为阵列波导的模式有效折射率。

3.根据权利要求1所述的一种低串扰的硅基阵列波导光栅,其特征在于,所述自由传播区波导的半径以及阵列波导光栅衍射级数要满足以下两式:其中,dio为输如输出波导间距,ns为自由传播区波导模式有效折射率,dg为阵列波导间距,Nch为输出通道数,Δλ为信道空间,ng为模式群折射率;

同时,根据通道损耗的非均匀性要求,最小的自由传播区半径还应满足下式:其中,Nio为输入或输出信道数,信道不平坦度参数 高斯远场的等效宽度 θmax为远场衍射角,wg为阵列波导模场等效宽度。