1.一种硅纳米片阵列的制备方法，其特征在于：将晶面为（111）的硅基板预处理后，与钙置于真空中依次在630 640℃和700 720℃下进行分段加热反应，反应完成后降至室温，~ ~

将反应后的硅基板置于氯化锰的乙醇溶液浸泡2h，然后将浸泡后的硅基板与氯化锰颗粒分别置于分段加热炉的两端，全程通入氮气，将氯化锰颗粒一端加热至700 830℃，基板一端~

加热至500 600℃保温反应，反应结束后冷却至室温。

~

2.如权利要求1所述的一种硅纳米片阵列的制备方法，其特征在于：所述硅基板是尺寸2

为8*8mm ，厚度为1mm，晶面为（111）的单晶硅基板，每块硅基板对应钙的用量为0.02~

0.03g。

3.如权利要求1或2所述的一种硅纳米片阵列的制备方法，其特征在于：所述氯化锰颗粒和钙的质量比为2 3:5 10，将氯化锰颗粒一端加热升温至700 830℃，基板一端加热升温~ ~ ~

至500 600℃，反应结束后冷却至室温，升温速率为10 15℃/min，保温时间为10 20min，冷~ ~ ~

却时降温速率与升温速率相同。

4.如权利要求1或2所述的一种硅纳米片阵列的制备方法，其特征在于：所述硅基板和钙的分段加热反应，具体是将硅基板和钙金属颗粒置于石英容器中，并保持一段距离，将石‑6

英容器置于真空炉中，调节真空度至10 Torr后，以5 10℃/min的速率升温至630 640℃，保~ ~

温70 80min，然后再以3 4℃/min速率升温至700 720℃，保温40 60min，随后以15 50℃/~ ~ ~ ~ ~

min的速率降至室温，取出硅基板。

5.如权利要求3所述的一种硅纳米片阵列的制备方法，其特征在于：所述硅基板和钙的分段加热反应，具体是将硅基板和钙金属颗粒置于石英容器中，并保持一段距离，将石英容‑6

器置于真空炉中，调节真空度至10 Torr后，以5 10℃/min的速率升温至630 640℃，保温70~ ~

80min，然后再以3 4℃/min速率升温至700 720℃，保温40 60min，随后以15 50℃/min的~ ~ ~ ~ ~

速率降至室温，取出硅基板。

6.如权利要求3所述的一种硅纳米片阵列的制备方法，其特征在于：所述基板预处理是将单晶硅基板浸泡在50mL丙酮溶液中超声，蒸发至剩余15mL丙酮溶液，之后在质量分数为

50%的氢氟酸、硝酸和醋酸按照体积比为1:1:2组成的混合溶液中浸泡10秒钟，并用纯净水冲洗，最后用体积分数为5‑10%的氢氟酸水溶液点蘸清洗，水洗之后空气中静干。

7.一种硅纳米片阵列的制备方法，其特征在于，按如下步骤进行：（1）硅基板预处理

2

将尺寸为8*8mm ，厚度为1mm，晶面为（111）的单晶硅基板浸泡于50mL丙酮溶液中，超声蒸发至剩余15mL丙酮溶液，之后在质量分数为50%的氢氟酸、硝酸和醋酸按照1:1:2的体积比形成的混合溶液中浸泡10秒钟，并用纯净水冲洗，最后用体积分数为5‑10%的氢氟酸水溶液点蘸清洗，水洗之后空气中静干；

（2）制备硅化物前驱体

将硅基板和0.02 0.03g的钙金属颗粒置于石英容器底部，并保持一段距离，硅基板正~

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面朝下，将石英容器置于真空炉中，调节真空度至10 Torr后，以5 10℃/min的速率升温至~

630 640℃，保温70 80min，然后再以3 4℃/min速率升温至700 720℃，保温40 60min，随后~ ~ ~ ~ ~

以15~50℃/min的速率降至室温得CaSi2‑硅基板，取出CaSi2‑硅基板；

（3）浸泡处理

将步骤（2）反应后的CaSi2‑硅基板置于氯化锰的乙醇溶液中，浸泡2h，氯化锰的乙醇溶液中氯化锰和乙醇的质量体积比为5 10g:50mL；

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（4）萃取钙

将浸泡完成的CaSi2‑硅基板与0.5~1g氯化锰颗粒分别置于分段加热炉的两端，置于氮气氛围下，硅基板一端加热至500 600℃，氯化锰一端加热至780 830℃，升温速率为10 15~ ~ ~

℃/min，保温10 20min，然后以与升温速率相同的降温速率将温度降至室温。

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