1.一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法，包括以下步骤:(1)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气化后的V源，在

150～350℃下进行沉积，得到沉积有V源的衬底，所述V源为三异丙氧基氧化钒，结构式见式

1，

(2)充入气体进行吹扫；

(3)将气化后的碳源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的V源进行反应，得到含单原子层VxC纳米材料的衬底；

(4)再次充入气体进行吹扫，完成一个ALD生长循环；

重复(1)‑(4)若干次数，即可得到生长有VxC纳米材料的衬底。

2.根据权利要求1所述的一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法，其特征在于，步骤(1)中，以脉冲形式向反应腔中通入气相V源的单个脉冲的持续时间为0.5～20s。

3.根据权利要求1或2所述的一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述气化后的V源在载气存在条件下以脉冲形式通入，所述载气的流量为10～200sccm。。

4.根据权利要求1～3任一所述的一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述吹扫的时间为1～100s。

5.根据权利要求1～4任一所述的一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法，其特征在于，所述步骤(3)中碳源为乙醚、丙醚、丁醚、四氢呋喃中的一种或几种。

6.根据权利要求1～5任一所述的一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法，其特征在于，步骤(3)中，将碳源以脉冲形式通入反应腔的单个脉冲的持续时间为0.1～20s。

7.根据权利要求1～6任一所述的一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法，其特征在于，步骤(3)中，所述碳源在载气存在条件下以脉冲形式通入；所述载气的流量为20～

200sccm。

8.根据权利要求1～7任一所述的一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法，其特征在于，重复步骤(1)～(4)的操作1～2000次。

9.根据权利要求1～8任一所述的一种原子层沉积技术生长VxC纳米材料的方法在电解水领域的应用。