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专利号: 2020113312952
申请人: 湖南科技学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 有机化学〔2〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种2-芳硫基吡啶-N-氧化物的制备方法,其特征在于,将具有式1结构的芳香卤代烃、具有式2结构的化合物在碱下进行反应,制得式3结构的2-芳硫基吡啶-N-氧化物产物;Ar-X式1

所述的Ar为芳基;所述的X为卤素;R1~R4独自为-H、-NO2、-NH2、-CN、-COOH、-COOR、-CH2OH、-COR、烷基、C1~C10的烷氧基、芳基、卤素或三氟甲基;所述的R为烷基;所述的碱为碱金属氢氧化物、醇化合物中的至少一种;反应过程的溶剂为醇水混合液、DMSO、DMF中的至少一种。2.如权利要求1所述的2-芳硫基吡啶-N-氧化物的制备方法,其特征在于,所述的芳基为苯基、五元杂环芳基、六元杂环芳基,或者由苯基、五元杂环芳基、六元杂环芳基中的任意两个及以上的芳香环稠合形成的稠环芳基;所述的苯基、五元杂环芳基、六元杂环芳基、稠环芳基的芳香环上允许带有取代基;所述的取代基为-NO2、-NH2、-CN、-COOH、-COOR、-CH2OH、-COR、烷基、C1~C10的烷氧基、芳基、卤素或三氟甲基中的至少一种。3.如权利要求1所述的2-芳硫基吡啶-N-氧化物的制备方法,其特征在于,所述的芳香卤代烃为具有式1-A、式1-B、式1-C、式1-D结构式的化合物中的至少一种:式1-A、式1-B、式1-C、式1-D中,所述的R5和X位于各自芳香环的任意位置;且所述的R5为-H、-NO2、-NH2、-CN、-COOH、-COOR、-CH2OH、-COR、烷基、C1~C10的烷氧基、芳基、卤素或三氟甲基;所述的X为-Cl、-Br或-I;所述的Y为O、S、NH或者-NR。4.如权利要求1所述的2-芳硫基吡啶-N-氧化物的制备方法,其特征在于,式2结构的化合物大于或等于理论摩尔量;优选为理论反应量的1~2倍;进一步优选为理论反应量的1.2~1.6倍。5.如权利要求1所述的2-芳硫基吡啶-N-氧化物的制备方法,其特征在于,所述的碱为氢氧化钠、氢氧化钾、叔丁醇钾、叔丁醇钠中的至少一种;优选地,所述的碱的用量为式2化合物摩尔量的2~5倍;优选为2.5~3倍。6.如权利要求1所述的2-芳硫基吡啶-N-氧化物的制备方法,其特征在于,反应溶剂为醇水混合液,其中的醇为能与水任意比混溶的醇,优选为C1~C4的一元醇或者多元醇;进一步优选为甲醇、乙醇、丙醇中的至少一种;优选地,所述的醇水混合液中,所述的醇和水的体积比为0.5~2.5:1;进一步优选为1~1.5:1。7.如权利要求1所述的2-芳硫基吡啶-N-氧化物的制备方法,其特征在于,反应过程的温度大于或等于80℃;优选地,反应过程的温度为80~150℃;优选地,反应时间大于或等于芳香卤代烃原料转化率大于90%的时间。8.一种2-芳硫基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,采用权利要求1~7任一项所述的制备方法制得2-芳硫基吡啶-N-氧化物产物,随后将其进行还原反应,制得式4结构的2-芳硫基吡啶化合物;

优选地,所述的还原反应过程中采用的还原剂为Pd/C、PCl3中的至少一种;优选地,所述的还原反应中,当还原剂为Pd/C时,还原剂的用量为2-芳硫基吡啶-N-氧化物摩尔量的1-20%;当还原剂为PCl3时,还原剂的用量不低于将2-芳硫基吡啶-N-氧化物中的吡啶氧完全反应的理论摩尔量,优选为理论摩尔量的5-10倍;优选地,当还原剂为Pd/C时,还原反应过程的溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇中的至少一种;当还原剂为PCl3时,还原反应过程的溶剂为氯仿、二氯甲烷中的至少一种。9.一种2-芳硫砜基吡啶化合物的制备方法,其特征在于,采用权利要求8所述的方法制得2-芳硫基吡啶化合物,随后进行氧化反应,制得式5结构的2-芳硫砜基吡啶化合物;

优选地,所述的氧化反应过程中采用的氧化剂为间氯过氧苯甲酸;优选地,所述的氧化反应中,氧化剂的用量不低于将2-芳硫基吡啶化合物中的硫完全反应的理论摩尔量,优选为理论摩尔量的2-3倍;优选地,氧化反应过程的溶剂为二氯甲烷,氯仿中的至少一种;优选地,氧化反应过程的温度为20-40℃。10.一种2-芳硫砜基吡啶-N-氧化物的制备方法,其特征在于,采用权利要求1~7任一项所述的制备方法制得2-芳硫基吡啶-N-氧化物产物,随后将其进行氧化反应,制得式6结构的2-芳硫砜基吡啶-N-氧化物;

优选地,所述的氧化反应过程中采用的氧化剂为间氯过氧苯甲酸;优选地,所述的氧化反应中,氧化剂的用量不低于将2-芳硫基吡啶-N-氧化物中的硫完全反应的理论摩尔量,优选为理论摩尔量的2-3倍;优选地,氧化反应过程的溶剂为二氯甲烷、氯仿中的至少一种;优选地,氧化反应过程的温度为20-40℃。