1.上下电极旋错布置的垂直腔面发射半导体激光器自上而下依次是欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)、氧化物限制层(4)、有源增益区(5)、下分布布拉格反射镜(6)、衬底(7)；欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)以及有源增益区(5)层叠在一起构成一个具有空心部分(10)的圆柱区域；在所述圆柱区域的空心部分(10)的下面有高阻区(9)；其特征在于，旋错上电极(11)位于欧姆接触层(2)上表面，旋错下电极(12)位于衬底(7)下表面，旋错上电极(11)、旋错下电极(12)的主体部分(13)都呈圆环形，所述圆环形的几何中心位于激光器轴线上；沿圆环形主体部分(13)的外圆或者内圆等弧度间隔分布形状、数量均相同的扩展部分(14)，旋错上电极(11)、旋错下电极(12)之间在所述圆环形的圆周方向上旋错二分之一所述弧度布置。

2.根据权利要求1所述的上下电极旋错布置的垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，旋错上电极(11)、旋错下电极(12)的扩展部分(14)的数量均为3个或者4个，旋错上电极(11)、旋错下电极(12)的具体结构包括以下四种：4个扩展部分(14)位于主体部分(13)的内圆上；3个扩展部分(14)位于主体部分(13)的外圆上；3个扩展部分(14)位于主体部分(13)的内圆上；4个扩展部分(14)位于主体部分(13)的外圆上。

3.根据权利要求1所述的上下电极旋错布置的垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，当扩展部分(14)的数量为4个时，间隔1/2π弧度分布，旋错上电极(11)、旋错下电极(12)之间旋错1/4π弧度；当扩展部分(14)的数量为3个时，间隔2/3π弧度分布，旋错上电极(11)、旋错下电极(12)之间旋错1/3π弧度。

4.根据权利要求1所述的上下电极旋错布置的垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，旋错上电极(11)的主体部分(13)与旋错下电极(12)的主体部分(13)的尺寸相同。