1.一种电磁超表面，包括第一金属层、第二金属层和介质层，其特征在于：所述第一金属层包括多个阵列排布的第一纳米单元结构，所述第二金属层包括多个阵列排布的第二纳米单元结构，至少部分所述介质层位于所述第一金属层和第二金属层之间。

2.根据权利要求1所述的电磁超表面，其特征在于，包括：所述第一纳米单元结构和所述第二纳米单元结构的至少一个截面为正方形，所述正方形的边长为50-200nm。

3.根据权利要求1所述的电磁超表面，其特征在于，包括：所述第一纳米单元结构和所述第二纳米单元结构的厚度为50-100nm。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的电磁超表面，其特征在于，包括：所述第一金属层和所述第二金属层的材料选自金或银的至少一种。

5.一种电磁超表面的制备方法，其特征在于，包括：制备第一金属层，所述第一金属层包括多个阵列排布的第一纳米单元结构；

在所述第一金属层上制备介质层；

在所述介质层上制备第二金属层，所述第二金属层包括多个阵列排布的第二纳米单元结构。

6.根据权利要求5所述的电磁超表面的制备方法，其特征在于，所述制备第一金属层，所述第一金属层包括多个阵列排布的第一纳米单元结构，包括：提供第一衬底；

在所述第一衬底上形成第一聚合物材料层；

图案化所述第一聚合物材料层，以得第一图案，所述第一图案之间具有第一纳米间隙；

在所述第一图案和所述第一纳米间隙上形成第一金属材料层；

去除所述第一图案和位于所述第一图案上的第一金属材料层，得到第一金属层。

7.根据权利要求6所述的电磁超表面的制备方法，其特征在于，所述在所述介质层上制备第二金属层，所述第二金属层包括多个阵列排布的第二纳米单元结构，包括：在所述介质层上形成第二聚合物材料层；

图案化所述第二聚合物材料层，以得第二图案，所述第二图案之间具有第二纳米间隙；

在所述第二图案和所述第二纳米间隙上形成第二金属材料层；

去除所述第二图案和位于所述第二图案上的第二金属材料层得到第二金属层。

8.根据权利要求5-7中任意一项所述的电磁超表面的制备方法，其特征在于，包括：所述第一纳米单元结构和所述第二纳米单元结构的至少一个截面为正方形，所述正方形的边长为50-200nm。

9.根据权利要求5-7中任意一项所述的电磁超表面的制备方法，其特征在于，包括：所述第一纳米单元结构和所述第二纳米单元结构的厚度为50-100nm。

10.一种纳米宽带陷波滤波器，包括电磁超表面，其特征在于：所述电磁超表面如权利要求1-4中任意一项所述。