1.一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，其特征在于：包括金属源极(1)、金属漏极(3)、金属多指形栅极(2)、金属背栅极(11)、In0.53Ga0.47As盖帽层(4)和(5)、In0.52Al0.48As肖特基势垒层(6)、In0.52Al0.48As间隔层(7)、In0.7Ga0.3As沟道层(8)、In0.52Al0.48As缓冲层(9)、InP衬底层(10)；

所述金属背栅极(11)位于InP衬底层(10)下表面，InP衬底层(10)为n型低浓度掺杂；

In0.52Al0.48As缓冲层(9)位于InP衬底层(10)上表面，In0.52Al0.48As缓冲层为n型低浓度掺杂；In0.7Ga0.3As沟道层(8)位于In0.52Al0.48As缓冲层(9)上表面，δ掺杂位于In0.7Ga0.3As沟道层(8)内距离上表面1nm处，厚度1nm，为n型高浓度掺杂；In0.52Al0.48As间隔层(7)位于In0.7Ga0.3As沟道层(8)上表面；In0.52Al0.48As肖特基势垒层(6)位于In0.52Al0.48As间隔层(7)上表面，δ掺杂位于In0.52Al0.48As肖特基势垒层(6)内距离上表面4nm处，厚度2nm，为n型低浓度掺杂；金属多指形栅极(2)位于In0.52Al0.48As肖特基势垒层(6)上表面中间位置，In0.53Ga0.47As盖帽层(4)和(5)分别位于In0.52Al0.48As肖特基势垒层上表面的两侧；金属源极(1)位于左侧In0.53Ga0.47As盖帽层(4)上表面，金属漏极(3)位于右侧In0.53Ga0.47As盖帽层(5)上表面。

2.根据权利要求1所述的具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，其特征在于：多指形栅极的指栅数量为N，N≥2。

3.根据权利要求1所述的具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，其特征在于：单个指栅的栅长为In0.53Ga0.47As盖帽层(4)和(5)间距的任意值。

4.根据权利要求1所述的具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，其特征在于：相邻指栅的间距为In0.53Ga0.47As盖帽层(4)和(5)间距的任意值。

5.根据权利要求1所述的具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，其特征在于：金属源极(1)、金属漏极(3)、金属多指形栅极(2)和金属背栅极(11)的材料为Au、Al、Cr、Ti、W、Ni、Pt、Pb的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，其特征在于：金属源极(1)、金属漏极(3)和金属多指形栅极(2)周围被钝化层覆盖。

7.根据权利要求1所述的具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，其特征在于：

In0.53Ga0.47As盖帽层(4)和(5)、In0.52Al0.48As肖特基势垒层(6)、In0.52Al0.48As间隔层(7)和In0.7Ga0.3As沟道层(8)背景掺杂均为n型低浓度掺杂，掺杂浓度为5×105cm-3。

8.根据权利要求1所述的具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，其特征在于：栅极和漏极正下方掺杂为n型高浓度掺杂，掺杂浓度为1×1020cm-3。

9.根据权利要求1所述的具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，其特征在于：

In0.53Ga0.47As盖帽层(4)和(5)、In0.52Al0.48As肖特基势垒层(6)、In0.52Al0.48As间隔层(7)、In0.7Ga0.3As沟道层(8)和In0.52Al0.48As缓冲层(9)的材料为GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN等多元半导体材料中的一种或几种。

10.根据权利要求1所述的具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件，其特征在于：InP衬底层(10)的材料为蓝宝石、Si、SiC、AlN、GaN、AlGaN中的一种或几种。