1. 一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI‑LDMOS器件，其特征在于：包括源极接触区（1）、源极P+区（2）、源极N+区（3）、栅源隔离氧化层（4）、表面栅氧化层（5）、表面栅极接触区（6）、场氧化层（7）、第一层N型漂移区（8）、漏极接触区（9）、漏极N+区（10）、第二层N型漂移区（11）、埋氧层（12）、P型埋层（13）、衬底（14）、体内栅氧化层（15）、P‑body（16）、体内栅接触区（17）；所述源极接触区（1）位于源极N+区（3）、源极P+区（2）的上方，源极接触区（1）的右边紧邻栅源隔离氧化层（4）的左边；所述源极P+区（2）的上左边与源极接触区（1）的下边接触，源极P+区（2）还位于源极N+区（3）中，其形状为L型，同时，源极P+区（2）最右边与P‑body（16）左边的一部分接触；所述源极N+区（3）的上边与源极接触区（1）、栅源隔离氧化层（4）的下边接触，下边与体内栅氧化层（15）的上左边相邻，其最右边与P‑body（16）的左边接触，同时，所述源极N+区（3）中还存在一个其形状为L型源极P+区（2）；所述栅源隔离氧化层（4）的左边与源极接触区（1）的右边相邻，栅源隔离氧化层（4）的右边与表面栅氧化层（5）、表面栅极接触区（6）的左边相邻，下边与源极N+区（3）的上右边接触；所述表面栅氧化层（5）的上边紧邻表面栅极接触区（6）的下边，表面栅氧化层（5）的左侧与栅源隔离氧化层（4）的右下侧接触，右侧与场氧化层（7）的左下侧接触，同时，表面栅氧化层（5）的下边紧邻P‑body（16）的上边；所述表面栅极接触区（6）下边与表面栅氧化层（5）上边接触，左边与栅源隔离氧化层（4）的右上边接触，右边与场氧化层（7）的左上边接触；所述场氧化层（7）的左侧与表面栅氧化层（5）和表面栅极接触区（6）的右侧相邻，场氧化层（7）右侧紧邻漏极接触区（9）的左侧，同时，场氧化层（7）位于第一层N型漂移区（8）的上方；所述第一层N型漂移区（8）位于P型埋层（13）的上侧和场氧化层（7）的下侧，左侧与P‑body（16）的右侧接触，右侧与漏极N+区（10）的左侧接触；所述漏极接触区（9）位于漏极N+区（10）的上方，漏极接触区（9）左侧紧邻场氧化层（7）的右侧；所述漏极N+区（10）位于漏极接触区（9）的正下方，同时，其左边与P型埋层（13）、第一层N型漂移区（8）和第二层N型漂移区（11）的右边接触，漏极N+区（10）的下边与埋氧层（12）的上右边相邻；所述第二层N型漂移区（11）的上边紧邻P型埋层（13）的下边，下边与埋氧层（12）的上边接触，第二层N型漂移区（11）的左边与P‑body （16）的右侧接触，右边与漏极N+区（10）的左侧相邻；所述埋氧层（12）下边紧邻衬底（14）的上边，埋氧层（12）的上边与漏极N+区（10）下边、第二层N型漂移区（11）的下边相邻，同时，埋氧层（12）的左上边紧邻体内栅氧化层（15）和体内栅接触区（17）的右边，上左边与体内栅接触区（17）的下边接触；所述的P型埋层（13）位于第一层N型漂移区（8）和第二层N型漂移区（11）之间，上侧与第一层N型漂移区（8）下侧接触，下侧与第二层N型漂移区（11）上侧接触，左侧紧邻P‑body（16）的右侧，右侧紧邻漏极N+区（10）的左侧；所述衬底（14）上侧与埋氧层（12）下侧接触，其位于器件的底部；所述体内栅氧化层（15）的下边与体内栅接触区（17）的上边接触，其右侧与埋氧层（12）接触，同时，体内栅氧化层（15）的上边与源极N+区（3）和P‑body（16）的下边接触；所述P‑body（16）的左边与源极N+区（3）、源极P+区（2）的右边接触，同时，其上边紧邻表面栅氧化层（5）的下边，下边与体内栅氧化层（15）的上右边接触，右边与P型埋层（13）、第一层N型漂移区（8）和第二层N型漂移区（11）的左边接触；所述体内栅接触区（17）位于埋氧层（12）的上左边和体内栅氧化层（15）的下边，其右侧与埋氧层（12）接触。

2.根据权利要求1所述的一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI‑LDMOS器件，

16

其特征在于：所述P型埋层（13）掺入杂质类型为P型杂质，其掺杂浓度范围为1×10 1×~

17 ‑3

10 cm 。

3.根据权利要求1所述的一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI‑LDMOS器件，其特征在于：所述P型埋层（13）的长度为3 7.5μm，能够调节，宽度为0.2 0.7μm，能够调节。

~ ~

4.根据权利要求1所述的一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI‑LDMOS器件，其特征在于：所述表面栅极接触区（6）的材料为N型掺杂的多晶硅。

5.根据权利要求1所述的一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI‑LDMOS器件，其特征在于：所述体内栅接触区（17）的材料为N型掺杂的多晶硅。