1.一种ASIC，用于fA～pA量级微弱电流测量，其特征在于：ASIC具有十个引脚；其中，第一引脚为信号输入引脚，用于输入待测电流；第七引脚为电源地引脚；第十引脚为电源正极引脚；第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、第六引脚、第八引脚、第九引脚为功能引脚，用于连接ASIC外围元件；第五引脚还作为信号输出引脚，用于输出放大后的电压，并电性连接至中间放大器的输入端；

在ASIC的内部，包括有两个CMOS运算放大器构成的放大电路、四个CMOS传输门、七个CMOS反相器、三个电阻以及两个电容；ASIC的第七引脚连接至电源地端，ASIC的第十引脚连接至电源正端；ASIC的第一引脚作为待测电流信号输入端，用于输入待测电流；ASIC的第五引脚作为放大电压信号输出端，用于输入放大的电压信号；ASIC的第二引脚和第三引脚之间并联接入第一反馈电阻，ASIC的第四引脚和第五引脚之间并联接入第二反馈电阻，ASIC的第六引脚和电源地端之间串联接入第三反馈电阻；ASIC的第八引脚和第九引脚之间并联接入一个MΩ量级的电阻和一个晶体振荡器，该MΩ量级的电阻使第一CMOS反相器处于线性放大区，构成一个放大器，产生振荡，振荡频率取决于晶体振荡器的谐振频率；

通过高频轮切电路将放大电路按时间片轮切为两路，其中一路输出信号包含有待测电流信号和干扰信号，另一路仅包括有干扰信号，不包含有待测电流信号；再通过减法电路复而为一，从而过滤掉干扰信号，提取、放大有用的待测信号，提高信噪比，有效地抑制噪声，准确地测量得到待测电流值。

2.如权利要求1的ASIC，其特征在于：在ASIC内部，第一CMOS传输门的信号输入端和第三CMOS传输门的信号输入端均电性连接至ASIC的第一引脚；第一CMOS反相器、第二CMOS反相器、第三CMOS反相器、第四CMOS反相器、第五CMOS反相器、第六CMOS反相器、第七CMOS反相器依次串联，第一CMOS反相器的输入端电性连接至ASIC的第八引脚，第一CMOS反相器的输出端、第二CMOS反相器的输入端均电性连接至ASIC的第九引脚；第二CMOS运算放大器的信号输出端电性连接至ASIC的第五引脚；第一CMOS传输门的信号输出端、第一CMOS运算放大器的反相输入端均电性连接至ASIC的第二引脚，第三电阻电性连接在第一CMOS运算放大器的同相输入端与电源地端之间；第一CMOS运算放大器的信号输出端、第二CMOS传输门的信号输入端、第四CMOS传输门的信号输入端均电性连接至ASIC的第三引脚；第二CMOS传输门与第一电阻串联，第一电阻的另一端、第二CMOS运算放大器的反相输入端均电性连接至ASIC的第四引脚，第一电容电性连接在第二CMOS传输门与第一电阻的共同端及电源地端之间；第三CMOS传输门的信号输出端电性连接至电源地端；第四CMOS传输门与第二电阻串联，第二电阻的另一端、第二CMOS运算放大器的同相输入端均电性连接至ASIC的第六引脚，电源地端电性连接至ASIC的第七引脚；

第三CMOS反相器的输出端还电性连接至第三CMOS传输门的反相控制端；第四CMOS反相器的输出端还电性连接至第一CMOS传输门的正相控制端；第六CMOS反相器的输出端还电性连接至第二CMOS传输门的正相控制端；第七CMOS反相器的输出端还电性连接至第四CMOS传输门的反相控制端；电源正端电性连接至ASIC的第十引脚。

3.如权利要求2的ASIC，其特征在于：第五CMOS反相器、第六CMOS反相器之间具有2N个串联的CMOS反相器，N为正整数，N的取值使得所有CMOS反相器的整体响应速度与第一CMOS运算放大器的响应速度匹配。

4.如权利要求2所述的ASIC，其特征在于：第一CMOS传输门和第二CMOS传输门同时开或关，第三CMOS传输门和第四CMOS传输门同时关或开，并且，第一CMOS传输门和第二CMOS传输门的开关状态，与第三CMOS传输门和CMOS传输门的开关状态总是相反，即第一CMOS传输门和第二CMOS传输门处于导通低阻状态时，第三CMOS传输门和第四CMOS传输门则均处于截止状态，反之亦然。

5.如权利要求2所述的ASIC，其特征在于：在工作时，四个CMOS传输门工作于开关状态；第一CMOS反相器的输入端和输出端之间即ASIC的第八引脚和第九引脚之间并联接入一个MΩ量级的电阻和一个晶体振荡器，该MΩ量级的电阻使第一CMOS反相器位于线性放大区，构成一个放大器，产生振荡，振荡频率取决于晶体振荡器的谐振频率；晶体振荡器的谐振频率为MHz量级。

6.一种纳米级绝缘薄膜电压－电流特性测量系统，其特征在于：测量系统包括电学测试装置，电学测试装置中包括如权利要求1－5任一项的ASIC。