1.一种太赫兹宽带滤波器，包括金属和介质层，其特征在于，所述太赫兹宽带滤波器由多个微结构单元排列形成，所述微结构单元由下往上依次包括第一介质层、第一金属石墨烯结构层、第二介质层、第二金属石墨烯结构层和第三介质层；

所述第一金属石墨烯结构层和第二金属石墨烯结构层分别包括一个方环形金属结构、一个方环形石墨烯结构以及一个方形金属结构，在所述第一金属石墨烯结构层和第二金属石墨烯结构层中，所述方环形金属结构、方环形石墨烯结构以及方形金属结构由外侧向中心依次设置。

2.根据权利要求1所述的太赫兹宽带滤波器，其特征在于，第一介质层的厚度为9μm‑11μm，第二介质层的厚度为11μm‑13μm，第三介质层的厚度为

14μm‑16μm；

所述介质层长度为50μm‑60μm，所述介质层宽度为40μm‑50μm；

所述方形金属结构的边长为7μm‑9μm，所述方环形石墨烯结构的环距为4μm‑6μm，所述方环形金属结构的环距为4μm‑6μm。

3.根据权利要求1所述的太赫兹宽带滤波器，其特征在于，所述方环形金属结构一条边的长度与所述第一介质层、第二介质层和第三介质层的宽度分别相等。

4.根据权利要求1或3所述的太赫兹宽带滤波器，其特征在于，所述方环形石墨烯结构的环距与所述方环形金属结构的环距相等。

5.根据权利要求1所述的太赫兹宽带滤波器，其特征在于，所述方环形石墨烯结构的外围四周与所述方环形金属结构的内围四周之间留有间隙，所述间隙宽度小于所述方环形石墨烯结构的环距。

6.根据权利要求1所述的太赫兹宽带滤波器，其特征在于，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层的厚度依次递增。

7.根据权利要求1所述的太赫兹宽带滤波器，其特征在于，所述方环形金属结构的材料为金、铝或者银。

8.根据权利要求1所述的太赫兹宽带滤波器，其特征在于，所述介质层的介电常数为

2.8‑3.2。

9.一种如权利要求1‑8任一项所述的太赫兹宽带滤波器的使用方法，其特征在于，包括将所述太赫兹宽带滤波器置于光路中，以及根据对透射率的要求，调节所述方环形石墨烯结构的通电电压的步骤。

10.一种如权利要求1‑8任一项所述的太赫兹宽带滤波器的制备方法，其特征在于，包括根据需要的带宽选择对应的方环形金属结构的厚度以及将所述方环形金属结构设置在所述第一介质层上和所述第二介质层上的步骤。