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专利号: 2020114583449
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 光学
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种带有变形补偿的变形镜单元,包括子镜(1);其特征在于:还包括极头(2)、驱动器(3)和基座(4);多个驱动器(3)均安装在基座(4);驱动器(3)能够自动伸缩;各驱动器(3)的外端均固定有极头(2);极头(2)的外端端面上开设有多个盲孔(5);子镜(1)的背面与各个极头(2)的外端固定;子镜(1)上设置有多个通孔(6);通孔(6)的孔径为1~100nm。

2.根据权利要求1所述的一种带有变形补偿的变形镜单元,其特征在于:所述的子镜(1)内设置有一层或多层散热流道(10);所述的散热流道(10)包括十字型流道部分和圆形流道部分;十字型流道部分设置在圆形流道部分的内侧,且四个通流口均与圆形流道部分的内侧连通;散热流道(10)的进流口(8)、出流口(9)分别位于子镜(1)的两侧边缘;散热流道(10)的进流口(8)、出流口(9)与十字型流道部分的其中两个通流口分别对接。

3.根据权利要求1所述的一种带有变形补偿的变形镜单元,其特征在于:所述的驱动器(3)共有是三个;三个驱动器(3)呈正三角形排布。

4.根据权利要求1所述的一种带有变形补偿的变形镜单元,其特征在于:所述的驱动器(3)采用层叠式压电陶瓷。

5.根据权利要求1所述的一种带有变形补偿的变形镜单元,其特征在于:所述盲孔(5)的孔径为1~100nm;极头(2)外端端面上的孔隙率为50%。

6.根据权利要求1所述的一种带有变形补偿的变形镜单元,其特征在于:所述子镜(1)的背面安装有一个或多个微位移传感器(7)。

7.根据权利要求6所述的一种带有变形补偿的变形镜单元,其特征在于:所述的微位移传感器(7)采用MEMS电容式静电微位移传感器。

8.根据权利要求1所述的一种带有变形补偿的变形镜单元,其特征在于:所述的子镜(1)和极头(2)均采用的是单晶硅材料。

9.根据权利要求1所述的一种带有变形补偿的变形镜单元,其特征在于:所述子镜(1)上的孔隙率为30%。

10.一种变形镜系统,其特征在于:包括阵列状排布的多个如权利要求1所述的变形镜单元。