1.一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将衬底置于原子层沉积设备的反应腔中，先将Ni前驱体加热进行气化得到气相Ni前驱体，再以脉冲形式通入气相Ni前驱体进行沉积，沉积温度为200～350℃，即可得到沉积有Ni前驱体的衬底，所述Ni前驱体为具有式1所示结构的化合物：(2)向体系中充入高纯氮气或高纯氩气进行吹扫；

(3)将气相碳源以脉冲形式通入原子层沉积设备的反应腔，与步骤(1)得到的沉积在衬底上的Ni前驱体进行单原子反应，得到含单原子层NixC薄膜的衬底，所述碳源为甲酸、乙酸、丙酸、丁酸的一种或几种；

(4)向体系中充入高纯氮气或高纯氩气进行吹扫，即完成一个ALD生长循环；

重复(1)‑(4)若干次数，即可得到生长有NixC薄膜的衬底。

2.根据权利要求1所述的一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法，其特征在于，沉积过程在真空条件下进行。

3.根据权利要求1或2所述的一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法，其特征在于，所述衬底包括硅、氧化硅、氮化硅、TaN、SrTiO3中的一种或几种。

4.根据权利要求1～3任一所述的一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法，其特征在于，以脉冲形式通入气相Ni前驱体的单个脉冲的持续时间为0.1～10s。

5.根据权利要求1～4任一所述的一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法，其特征在于，气相Ni前驱体通入反应腔时，由载气带入，其中，所述载气为高纯氮气或高纯氩气，所述载气的流量为100～200sccm。

6.根据权利要求1～5任一所述的一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法，其特征在于，步骤(2)中，高纯氮气或高纯氩气吹扫的时间为1～30s。

7.根据权利要求1～6任一所述的一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法，其特征在于，所述步骤(3)中将气相碳源以脉冲形式通入反应腔的单个脉冲的持续时间为

0.01～5s。

8.根据权利要求1～7任一所述的一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法，其特征在于，步骤(4)中，所述高纯氮气或高纯氩气吹扫的时间为0.5～20s。

9.权利要求1～8任一所述的一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法在电能储存和电催化领域中的应用。