1.一种SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线，其特征在于，包括由上至下设置的上层金属贴片(1)、上层介质基板(4)、中间层金属贴片(2)、下层介质基板(5)、下层金属贴片(3)，其中：

所述上层金属贴片(1)包括设置于右侧的第一金属片(11)和设置于左侧的第二金属片(12)，第一金属片(11)和第二金属片(12)结构相同且二者关于中心对称设置；第一金属片(11)和第二金属片(12)采用将矩形金属片切除正方形角并增加倾斜的椭圆形贴片的金属片，每个金属片的边缘设有两个金属通孔，具体为第一～第四金属通孔(111、112、121、

122)；

所述上层介质基板(4)被第一～第四金属通孔(111、112、121、122)贯穿，连接上层金属贴片(1)和中间层金属贴片(2)；

所述中间层金属贴片(2)平铺满整个下层介质基板(5)的上表面，并刻蚀蝶形缝隙(21)，蝶形缝隙(21)的两侧分别为第一金属通孔(111)、第二金属通孔(112)和第三金属通孔(121)、第四金属通孔(122)；

所述下层介质基板(5)设有30个金属通孔形成金属通孔线阵(23)，金属通孔线阵(23)包括左侧、上侧、右侧依次连接的三排金属通孔，其中每个金属通孔连接中间层金属贴片(2)和下层金属贴片(3)；三排金属通孔线阵(23)包围蝶形缝隙(21)形成SIW谐振腔(34)；

所述下层金属贴片(3)通过渐变微带线(31)过渡至微带线(32)与馈电端口(33)相连。

2.根据权利要求1所述的SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线，其特征在于，所述第一金属片(11)的主体为矩形金属片，该矩形金属片的右下角增加第一椭圆形贴片(113)，右上角切除一个第一矩形(114)；第一金属片(11)的左侧边缘设有两个直径相等的第一金属通孔(111)和第二金属通孔(112)，所述第一金属通孔(111)、第二金属通孔(112)贯穿上层介质基板(4)，连接上层金属贴片(1)和中间层金属贴片(2)；

第二金属片(12)的左上角增加第二椭圆形贴片(123)，该矩形金属片的左下角切除一个第二矩形(124)；第二金属片(12)的右侧边缘设有两个直径相等的第三金属通孔(121)、第四金属通孔(122)，与第一金属通孔(111)、第二金属通孔(112)的直径相等，第三金属通孔(121)、第四金属通孔(122)贯穿上层介质基板(4)，连接上层金属贴片(1)和中间层金属贴片(2)。

3.根据权利要求1或2所述的SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线，其特征在于，能量通过馈电端口(33)输入，经微带线(32)及渐变微带线(31)传输到SIW谐振腔(34)后，经过蝶形缝隙(21)耦合到上层金属贴片(1)，中间层金属贴片(2)作为天线的地，馈线位于下层金属贴片(3)。

4.根据权利要求3所述的SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线，其特征在于，上层金属贴片(1)的第一金属片(11)、第二金属片(12)分别位于蝶形缝隙(21)的两侧。

5.根据权利要求3所述的SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线，其特征在于，上层金属贴片(1)的第一金属通孔(111)、第二金属通孔(112)和第三金属通孔(121)、第四金属通孔(122)对称分布于蝶形缝隙(21)的两侧。

6.根据权利要求3所述的SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线，其特征在于，蝶形缝隙(21)不是关于中间层金属贴片(2)的中线(22)对称，而是向右偏移设定距离(24)。

7.根据权利要求3所述的SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线，其特征在于，根据以下公式确定SIW谐振腔(33)的尺寸：

式中，weff为SIW谐振腔的(34)等效宽度；w为SIW谐振腔(34)的实际宽度，即左侧一排金属通孔和右侧一排金属通孔之间的距离；位于下层介质基板(5)中所有的金属通孔的直径均为d；s为同侧相邻两金属通孔圆心之间的距离。

8.根据权利要求4～7任一项所述的SIW圆极化低剖面磁电偶极子天线，其特征在于，上层介质基板(4)厚度为1.016mm，下层介质基板(5)的厚度为0.508mm，天线的整体高度为

1.524mm。