1.一种光电化学检测氯霉素含量的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)Bi2WO6/ITO电极的制备：将Bi2WO6粉末分散在水中，制成悬浊液；然后将所得悬浊液滴涂到ITO电极表面，干燥，制得Bi2WO6/ITO电极；

(2)胺基修饰的介孔二氧化硅的合成：将硅源、孔生成剂、碱试剂分散在水中进行水热反应，反应结束后，离心、收集固体，干燥，煅烧，即得介孔二氧化硅；然后利用氨基硅烷试剂改性所得介孔二氧化硅，制得胺基修饰的介孔二氧化硅；

(3)包埋释放反应和光电流测定：将信号分子、步骤(2)所得胺基修饰的介孔二氧化硅分散在水中，实现信号分子包埋，并加入氯霉素适配体孵育，制得含适配体包裹装载信号分子的介孔二氧化硅的混合液；将该混合液与不同已知浓度的氯霉素样品混合、孵育，孵育结束后，离心、取上清液，并滴涂到步骤(1)所得Bi2WO6/ITO电极的表面、孵育，孵育完成后，以该电极作为工作电极，采用三电极体系进行光电流测定，得到不同已知浓度的氯霉素的光电流值；

(4)线性模型构建：通过步骤(3)所得的不同已知氯霉素浓度的光电流值I，和氯霉素浓度为0的样品所得的光电流值I0，计算得到不同浓度相应的光电流差值I‑I0；然后利用不同已知氯霉素浓度和相应的光电流差值构建线性模型。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中Bi2WO6通过如下方法制备得到：

将铋盐和钨酸盐分散在水中，加入碱试剂，混匀，进行水热反应，反应结束后，洗涤、干燥，即得粉末状Bi2WO6。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述铋盐为硝酸铋或硫酸铋中的一种。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述钨酸盐为钨酸钠或钨酸铵的一种或两种。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，制备Bi2WO6时的水热反应的温度为100‑200℃，反应的时间为5‑15小时。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中硅源选自：正硅酸乙酯(TEOS)、正硅酸丙酯。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中孔生成剂选自：十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、十四烷基三甲基溴化铵(TTAB)。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中水热反应的温度为70‑80℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中的信号分子为亚铁氰化钾或亚铁氰化铵中的一种或多种。

10.根据权利要求1‑9任一项所述的方法，其特征在于，所用氯霉素适配体的序列为5′‑ACT TCA GTG AGT TGT CCC ACG GTC GGC GAG TCG GTG GTA G‑3′。