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专利号: 2020115385549
申请人: 泉芯集成电路制造(济南)有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 计算;推算;计数
更新日期:2025-03-29
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种参数化单元的实现方法,其特征在于,包括:提供参数化单元,所述参数化单元包括至少一个器件,所述器件包括多个膜层结构;

根据预设的器件结构确定任一膜层结构待剪切的区域,所述预设的器件结构满足所述参数化单元的最小设计规则;

根据所述待剪切的区域调整剪切层的图层设定,以使所述剪切层对所述待剪切的区域进行剪切。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,调整剪切层的图层设定包括:调整剪切层的图层设定,使所述剪切层向至少一个方向延伸或缩减,以使所述剪切层对所述待剪切的区域进行剪切。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述膜层结构待剪切的区域包括第一区域和第二区域,根据所述待剪切的区域调整剪切层的图层设定包括:调整与所述第一区域对应的第一剪切层的图层设定,使所述第一剪切层向第一方向延伸第一预设距离;

调整与所述第二区域对应的第二剪切层的图层设定,使所述第二剪切层向第二方向延伸第二预设距离,所述第一方向和所述第二方向相反。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述器件包括鳍式场效应晶体管;所述膜层结构包括栅极层、导电金属层和鳍式结构层。

5.一种参数化单元,其特征在于,采用权利要求1~4任一项所述的方法实现。