1.一种基于有机溶液的柔性忆阻器，其特征在于，包括正极、负极以及阻变介质，所述正极为金属，所述负极为碳，所述阻变介质为基于n‑Bu4NPF6的乙腈(CH3CN)有机溶液，阻变介质作为P型半导体材料，在偏压下产生的空穴和电子作为载流子，通过空穴和电子迁移产生量的变化来引起器件电阻量的变化。

2.根据权利要求1所述的一种基于有机溶液的柔性忆阻器，其特征在于，所述正极采用的金属包括金Au、银Ag、铜Cu、铂Pt、铝Al、锌Zn中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种基于有机溶液的柔性忆阻器，其特征在于，所述负极采用碳纤维纸或玻碳电极。

4.根据权利要求1所述的一种基于有机溶液的柔性忆阻器，其特征在于，溶液中n‑Bu4NPF6与乙腈CH3CN的摩尔比例为X:1，其中0

5.根据权利要求1所述的一种基于有机溶液的柔性忆阻器，其特征在于，可密封容器选择柔性材料铝塑膜。

6.一种权利要求1‑5任一项所述的基于有机溶液的柔性忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：将n‑Bu4NPF6和乙腈CH3CN混合，摩尔比例为X:1，其中0

步骤2：将金属电极和碳电极切割成固定厚度的薄片；

步骤3：将金属电极依次经过丙酮、无水乙醇和去离子水清洗，清洗完毕后烘干备用；

步骤4：可密封容器底部为忆阻器正极位置，将金属电极固定在可密封容器底部，可密封容器顶部为忆阻器负极位置，碳电极固定在可密封容器的顶部；

步骤5：将基于n‑Bu4NPF6的乙腈溶液充入两个电极之间，制备成忆阻器。

7.根据权利要求6所述的一种基于有机溶液的柔性忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤2中薄片的厚度为10nm‑1mm。

8.根据权利要求6所述的一种基于有机溶液的柔性忆阻器的制备方法，其特征在于，该忆阻器能够实现软包装，制成可穿戴柔性忆阻器。