1.一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在柔性透明基底上沉积导电透明金膜；

(2)在沉积金膜的基底上附着AAO模板；

(3)利用真空物理沉积技术制备得spindt型金属阵列；

(4)去除AAO模板，得到场发射阴极材料。

2.根据权利要求1所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其特征在于，所制备的柔性透明场发射冷阴极包括：耐高透明柔性基底，导电层，以及沉积在导电层上的spindt型金属阵列。

3.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其特征在于，基底材料采用耐高温柔性透明材料。

4.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其特征在于，导电膜采用Au或ZAO，并且导电膜的厚度可调。

5.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，基底采用乙醇进行超声波清洗。

6.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，用滴管吸取适量乙醇，滴在基底上，在乙醇完全挥发前，将AAO模版贴附到基底上。

7.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，沉积技术选用磁控溅射技术、脉冲激光沉积技术或电子束蒸发技术任一种。

8.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，沉积的金属选择功函数较小的金属，其形状为spindt型。

9.根据权利要求7所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其特征在于，通过控制金属粒子的沉积速度，减少AAO模板孔洞迅速被堵的现象。

10.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，选用胶带粘接法，直接将AAO粘掉，避免传统溶液腐蚀法对spindt型金属的影响。