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专利号: 2020115930916
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2025-02-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在柔性透明基底上沉积导电透明金膜;

(2)在沉积金膜的基底上附着AAO模板;

(3)利用真空物理沉积技术制备得spindt型金属阵列;

(4)去除AAO模板,得到场发射阴极材料。

2.根据权利要求1所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,所制备的柔性透明场发射冷阴极包括:耐高温柔性透明基底,导电透明金膜,以及沉积在导电透明金膜上的spindt型金属阵列。

3.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,基底材料采用耐高温柔性透明材料。

4.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,在步骤(1)中,基底采用乙醇进行超声波清洗。

5.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,在步骤(2)中,用滴管吸取适量乙醇,滴在基底上,在乙醇完全挥发前,将AAO模板 贴附到基底上。

6.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,在步骤(3)中,沉积技术选用磁控溅射技术、脉冲激光沉积技术或电子束蒸发技术任一种。

7.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,在步骤(3)中,沉积的金属选择功函数较小的金属,其形状为spindt型。

8.根据权利要求1或2所述的柔性透明场发射冷阴极的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,使用胶带将AAO模板粘掉,得到柔性透明场发射冷阴极。