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专利号: 2020115932729
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种三氧化钼纳米薄膜的制备方法,其特征在于,该方法具体包括以下步骤:步骤(1).称取1~5g无水硫代硫酸钠和1~5g硫化钼,两者通过机械搅拌充分混合后放入刚玉坩埚中;

步骤(2).然后用直径大于刚玉坩埚的开口直径的基板,封盖在刚玉坩埚上面,之后再将刚玉坩埚放入管式炉中;

步骤(3).向管式炉中输入气体,气体为由氩氢和空气混合而成,氩氢体积占比为30‑

70%,其中氢气的体积占5%;通过真空系统保持管式炉内压力0.5‑1个大气压;

步骤(4).将管式炉升温至850~1000℃,升温速率为20~30℃/min,温度到达850~

1000℃后保温30~120min;

步骤(5).保温阶段结束后,停止加热,使管式炉在室温环境中自然降温直至室温,然后取出基板;

步骤(6).将基板放入盛有蒸馏水的烧杯中,基板表面的钠盐溶解后,获得悬浮于水中的三氧化钼纳米薄膜;该纳米薄膜可通过用硅片捞取的方法转移至硅片表面。

2.根据权力要求1所述的一种三氧化钼纳米薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述硫化钼为硫化钼固体粉末。

3.根据权力要求1所述的一种三氧化钼纳米薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(2)所述基板为石英玻璃,或硅片、蓝宝石。

4.根据权力要求1所述的一种三氧化钼纳米薄膜的制备方法,其特征在于:步骤(3)所述空气为大气或氧气。

5.根据权力要求1所述的一种三氧化钼纳米薄膜的制备方法,其特征在于:所述的刚玉坩埚的开口直径为3.5cm,基板直径为4cm。