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专利号: 2020116007576
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 铸造;粉末冶金
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种花状Bi/Bi2WO6纳米材料的制备方法,其特征是包括以下步骤:

1)称取硝酸铋溶于去离子水中,所形成的硝酸铋溶液浓度为:0.1~0.2mol/L;

2)称取钨酸钠溶解于去离子水中,所形成的钨酸钠溶液浓度为:0.01~0.02mol/L;

3)将步骤1)所得硝酸铋溶液倒入步骤2)所得钨酸钠溶液中,钨酸钠和硝酸铋的摩尔比为1:1~1:2,搅拌后转移到高压反应釜中,用去离子水调节使体积占高压反应釜容积的2/3~4/5;

4)将配置有反应物料的高压反应釜密闭,在120~140℃下保温14~20小时进行热处理;后降至室温,过滤,依次用去离子水、无水乙醇清洗,60℃~80℃温度下烘干后,转移至铜管中;

5)将铜管填充0.3~0.4mPa的氢气并封闭,并转移至管式炉中,在330℃~350℃下处理

2~3小时后,降至室温,制得花状Bi/Bi2WO6纳米材料。

2.根据权利要求1所述花状Bi/Bi2WO6纳米材料的制备方法,其特征是,氢气纯度大于

99%。

3.根据权利要求1所述花状Bi/Bi2WO6纳米材料的制备方法,其特征是,所用的原料钨酸钠、硝酸铋和去离子水、无水乙醇的纯度均不低于化学纯。

4.根据权利要求1所述花状Bi/Bi2WO6纳米材料的制备方法,其特征是,所得的花状Bi/Bi2WO6纳米材料微球直径不大于2微米。