1.一种金纳米棒表面生长可调厚度二氧化硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1,制备种子溶液；

3+

步骤S2,制备生长溶液并进行生长；油酸钠中的C‑C双键将生长溶液中的Au 还原为Au+ +，加入盐酸调控抗坏血酸酸根水解的速率，控制反应速率；Ag 目的为调节金纳米棒的转化率与形貌，与CTAB共同作用使金纳米晶体沿着两端生长成棒状；

步骤S3，将生长溶液离心清洗，加入NaOH，并按30分钟的时间间隔分6次加入TEOS溶液并搅拌；将步骤S2中合成的金纳米棒产物表面包裹介孔二氧化硅；将溶液离心清洗，以1：1的比例加入水与乙醇分散，并加入氨水催化，再以30分钟的时间间隔分6次加入TEOS溶液并搅拌，得到最终产物；

其中，所述步骤S1具体包括以下步骤：

S10:将10 mL 0.1 M CTAB与 0.25 mL 10 mM HAuCl4混合于瓶中，用冰水混合物与称量好的一定质量NaBH4混合，配成0.01 M 溶液，并加入0.6 mL 于瓶中剧烈搅拌；溶液由金黄色变为棕黄色，此为种子溶液；

其中，所述步骤S2具体包括以下步骤：

S20:将9.25 mL 0.1 M CTAB与0.062 g NaOL在50℃下溶解于14.5 mL水中；溶解后将溶液降温至30℃，之后加入0.9 mL 4 mM AgNO3溶液；并于30℃恒温静置15分钟，之后加入

0.25 mL 10 mM HAuCl4；经过60‑90分钟,400 rpm的搅拌，溶液由金黄色变为无色；此为生长溶液；

S21:向生长溶液中加入0.105 mL 37 wt.% HCl调控pH值；之后依次加入 64 mM 75 μL AA，40 μL种子溶液并剧烈搅拌；最终溶液静置12小时于30℃水浴中；

所述步骤S3具体包括以下步骤：

S30：将生长之后的溶液经过30分钟， 6000 rpm离心清洗，分散于对应体积的1‑2 mM CTAB中；加入 0.1 M 0.8 mL的NaOH溶液，之后加入TEOS 0.03 mL，搅拌三十分钟；重复六次；第六次之后将最终溶液持续搅拌2天；

S31：将生长之后的溶液经过30分钟，6000 rpm离心清洗，去除上层清液后，以1：1的比例加入水和乙醇分散；加入 3 wt.% 1 mL的氨水溶液，之后加入10 μL、30μL或者40μL的TEOS，搅拌三十分钟；重复六次；第六次之后将最终溶液持续搅拌1天；通过改变最后一步TEOS的添加量来调控二氧化硅层的厚度。