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专利号: 2020116321582
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种柔性触敏元件,其特征在于:包括一种掺杂GaInAsSb与PDMS复合材料和两金属电极;所述的两金属电极间填充掺杂GaInAsSb与PDMS复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种柔性触敏元件的制备方法,其特征在于,该方法具体包括以下步骤:

步骤(1).通过化学气相沉积法制备掺杂GaInAsSb纳米材料;形貌为纳米颗粒、纳米棒或纳米纤维;掺杂剂为金属铋,掺杂浓度Bi:Sb=0.5%‑2%,其为摩尔比;

步骤(2).将掺杂GaInAsSb纳米材料均匀分散于PDMS中;制备PDMS的原材料采用道康宁SYLGARD184,该药品包含基本组分和固化剂;两组分按照基本组分:固化剂=10:1比例混合,并掺入掺杂GaInAsSb,GaInAsSb:PDMS=70%‑95%,其为体积比;搅拌混合均匀;

步骤(3).将上述步骤(2)液体产物,旋涂在表面生长有氧化锌棒的硅基底表面;旋涂转速为200‑500转/分钟;然后在液体产物上面覆盖生长有氧化锌棒的硅基底;之后室温放置

2‑4天;

步骤(4).将上述步骤(3)产物,放入乙酸中2‑5分钟,然后除去硅片,再放入乙酸中浸泡

1‑3分钟,用乙醇清洗,之后晾干;

步骤(5).将上述步骤(4)产物,蒸镀金电极;形成Au/掺杂GaInAsSb和PDMS复合材料/Au结构;完成元器件制备。