1.Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将硅粉超声分散于去离子水溶液中，得到被水化膜包裹的硅粉；

（2）以Tween 80、Span 85和苯乙烯单体作为油相，称取硅烷偶联剂和光敏剂依次放入油相中，超声处理得到油相溶液；

（3）将被水化膜包裹的硅粉与油相溶液混合并乳化搅拌，再进行紫外线照射，然后真空冷冻干燥，再送入Ar气环境中碳化，最后经水热处理得到灰黑色产物。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述硅粉的纯度为

99.99％，粒径为50 200 nm。

~

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述硅粉与去离子水的加入量之比为 （40 90）mg:（10 16）mL。

~ ~

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，Tween 80、Span 85与苯乙烯单体的体积比为（0.02 0.06）：（0.08 0.24）：（30 60），硅烷偶联剂与光敏剂的用量比为~ ~ ~

（0.8 1.2）mL：（0.03 0.06）g；所述硅烷偶联剂与油相的体积比为（0.8 1.2）：（30 60）。

~ ~ ~ ~

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂为乙烯三乙氧基硅烷；所述光敏剂为二苯氧膦。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，被水化膜包裹的硅粉与油相溶液的加入量之比为 (40 90)mg：(30 60) mL。

~ ~

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述紫外线照射的时间为

1 3h。

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8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，碳化温度为650 850 ℃，~

碳化时间为2 4h；水热处理的温度为120 160 ℃，时间为16 36 h。

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9.权利要求1 8中任一项所述的制备方法制备得到Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极~

材料。

10.权利要求9所述的Si@void@C嵌入三维多孔碳网负极材料在锂电池中的应用。