1.一种Ka波段卫通功率放大器，包括功分器以及功分器的各路输出分别连接的一个功率放大器；其特征在于，所述Ka波段卫通功率放大器采用波导合成结构与场合成结构相结合的方式实现功率合成；其中，功率放大器前级由微带电路完成多路不同相位的等功率分配，功率放大器后端采用微带鳍线方式实现两路反相位功率的第一级功率合成，进一步由波导耦合器实现第二级功率合成。

2.如权利要求1所述的Ka波段卫通功率放大器，其特征在于，所述Ka波段卫通功率放大器包括波导滤波器，功率放大器最终输出采用所述波导滤波器完成谐波滤波。

3.如权利要求2所述的Ka波段卫通功率放大器，其特征在于，所述波导耦合器是采用90度3dB波导耦合器；功率放大器最终输出采用三阶波导滤波器完成谐波滤波。

4.如权利要求1所述的Ka波段卫通功率放大器，其特征在于，所述功分器包括：输入端连接的90度微带电桥的一分二功分器，两路相位差为90度；以及一分二功分器的两路输出连接的两个180度混合电桥，从而实现一分四的功分输出，各路功率相等，相位分别相差90度；

90度微带电桥和/或180度混合电桥的隔离端需采用高频50欧电阻实现良好匹配；

180度混合电桥的四路输出分别各连接一个功分器；

四路输出连接的功分器具有相同型号、相同批次。

5.如权利要求1所述的Ka波段卫通功率放大器，其特征在于，功率放大器由微带输出功率，经由微带-鳍线转换结构将功率传输至波导腔体；

微带-鳍线的走线结构相反，对称走线，鳍线中电场方向一致，完成第一级功率合成，第一级功率合成后两路波导的相位相差90度；

采用90度的3dB波导耦合器实现所述第二级功率合成；

波导耦合器的隔离端口采用吸收负载完成端口匹配。

6.如权利要求1 5任一项所述的Ka波段卫通功率放大器，其特征在于，所述Ka波段卫通~功率放大器由波导结构实现，采用波导实现各级功率合。

7.如权利要求6所述的Ka波段卫通功率放大器，其特征在于，Ka波段卫通功率放大器的波导结构包括波导屏蔽盒，屏蔽盒内部为腔体；

所述腔体内设置微带电路、功率放大器平台、微带波导过渡结构、耦合器、谐波滤波器；

波导屏蔽盒包括上半部分和下半部分，由波导的中轴线对称分开；

所述上半部分和下半部分通过法兰组装；

波导屏蔽盒两端分别设置射频功率输入端和射频功率输出端；

导屏蔽盒上还设置有控制和电源接口。

8.如权利要求7所述的Ka波段卫通功率放大器，其特征在于，所述微带电路包括所述功分器及其功分电路；

功率放大器平台焊接功率放大器芯片；

微带波导过渡结构中设置微带-鳍线转换结构；

耦合器对应为波导屏蔽盒内的耦合器下半部分和耦合器上半部分；

上半部分内的腔体内设有电路部分腔体结构、波导上半部分腔体、耦合器上半部分、谐波滤波器和波导输出上半部分，自输入端至输出端依次设置；

下半部分内设置有微带电路、功率放大器平台、微带波导过渡结构、耦合器下半部分以及谐波滤波器和波导输出下半部分；

下半部分的腔体内设置的微带电路、功率放大器平台、微带-鳍线转换结构与上半部分和腔体内设置的电路部分腔体结构及波导上半部分腔体对应；

下半部分的腔体内设置的耦合器下半部分与上半部分内设置的耦合器上半部分相对设置，共同形成耦合器；

下半部分的腔体内设置的谐波滤波器和波导输出下半部分与上半部分内设置的谐波滤波器和波导输出上半部分相对设置，共同组成谐波滤波器及其波导输出，最终由波导屏蔽盒尾部的射频功率输出端输出。

9.如权利要求8所述的Ka波段卫通功率放大器，其特征在于，所述功率放大器平台还焊接电源单元及偏置电路，外部电源供电通过金丝连接到电容上后再接到芯片的电源焊盘上，偏置电路中配置有旁路电容；

芯片与微带波导过渡结构的连接采用金丝键合焊接；

波导屏蔽盒腔体内侧边或顶部贴上吸波材料；

波导屏蔽盒外部配置有散热结构。

10.如权利要求1所述的Ka波段卫通功率放大器，其特征在于，所述Ka波段卫通功率放大器的工作带宽覆盖34 36GHz，可用频带2GHz；

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所述Ka波段卫通功率放大器的峰值功率20W；

所述Ka波段卫通功率放大器适于脉冲工作方式和或连续波工作方式；

所述Ka波段卫通功率放大器的功放增益18dB；

所述Ka波段卫通功率放大器的带内平坦度0.5dB；

所述Ka波段卫通功率放大器的电源效率18%。