1.一种X射线探伤周向曝光模拟器，其特征在于，包括：

基础组件，包括：支架，以及固定连接在所述支架一侧的第一电机和第二电机；

传动组件，包括：固定安装在所述支架上方的第一传动架和第二传动架，与所述第一传动架固定连接的第一驱动轴，与所述第二传动架固定连接的第二驱动轴，与所述第一驱动轴铰链连接的第三电机，以及与所述第二驱动轴铰链连接的第四电机；

探伤组件，包括：固定安装在所述支架内侧的第一滑道和第二滑道，与所述第一滑道滑动连接的滑块，与所述滑块固定连接的控制块，与所述控制块一侧固定连接、且与所述第一滑道滑动连接的照射台，与所述照射台另一侧螺纹连接的射线管；与所述第二滑道滑动连接的连接板，与所述连接板另一侧固定连接的卡圈，以及与所述卡圈套接连接的检测台。

2.根据权利要求1所述一种X射线探伤周向曝光模拟器，其中特征在于，所述控制块的内部设有X射线传输频率电路；所述X射线传输频率电路包括电磁波频率检测模块、频率补偿模块、以及输出放大模块；其中，所述电磁波频率检测模块包括：二极管D1、电阻R2、电阻R1、集成电路U1、电容C2、场效应管Q1、电阻R3、电容C1；所述集成电路U1的4号引脚同时与所述二极管D1的正极、所述电阻R1的一端和所述电阻R2的一端连接，所述集成电路U1的5号引脚与所述电容C2的一端连接，所述集成电路U1的2号引脚接信号输入端，所述集成电路U1的

3号引脚、8号引脚同时与所述电阻R1的另一端、所述电阻R2的另一端和所述二极管D1的负极连接，所述集成电路U1的1号引脚同时与所述电容C2的另一端和所述电容C1的一端连接，所述集成电路U1的7号引脚与所述场效应管Q1的源极连接，所述场效应管Q1的栅极与所述电容C1的另一端和所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端和所述场效应管Q1的漏极连接。

3.根据权利要求2所述一种X射线探伤周向曝光模拟器，其中特征在于，所述频率补偿模块包括：三极管Q2、电阻R4、三极管Q3、电阻R5、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q11、电容C5、三极管Q7、三极管Q8、电阻R6、三极管Q9、三极管Q10；其中，所述三极管Q11的集电极同时与所述电阻R4的一端和所述三极管Q4的基极连接，所述三极管Q2的集电极同时与所述电阻R5的一端和所述三极管Q3的基极连接，所述三极管Q3的集电极同时与所述电阻R4的另一端、所述电阻R5的另一端和所述三极管Q4的集电极连接，所述三极管Q3的发射极同时与所述三极管Q7的发射极和所述三极管Q8的发射极连接，所述三极管Q4的发射极同时与所述三极管Q5的发射极和所述三极管Q6的发射极连接，所述三极管Q10的集电极同时与所述三极管Q7的集电极和所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q9的集电极同时与所述电阻R6的一端和所述三极管Q5的集电极连接，所述电阻R6的另一端和所述电容C3的一端连接，所述三极管Q10的基极同时与所述电容C3的另一端和所述三极管Q9的基极连接，所述三极管Q7的基极与所述三极管Q8的基极连接，所述三极管Q6的基极与所述三极管Q5的基极连接，所述三极管Q8的集电极与所述三极管Q6的集电极连接、且与所述三极管Q10的发射极、所述三极管Q9的发射极、所述三极管Q11的发射极和所述三极管Q2的发射极连接。

4.根据权利要求2所述一种X射线探伤周向曝光模拟器，其中特征在于，所述输出放大模块包括：放大器U2、三极管Q12、三极管Q13、放大器U3、电阻R7；其中，所述放大器U2的3号引脚与所述三极管Q12的集电极连接，所述放大器U2的1号引脚同时与所述三极管Q12的发射极和所述三极管Q13的发射极连接，所述放大器U3的5号引脚与所述三极管Q13的集电极连接，所述三极管Q13的基极接地，所述放大器U2的2号引脚接地，所述放大器U3的6号引脚接地，所述放大器U3的7号引脚与所述电阻R7的一端连接，所述三极管Q12的基极与所述电阻R7的另一端连接。

5.根据权利要求2所述一种X射线探伤周向曝光模拟器，其中特征在于，所述集成电路U1的型号为555。

6.根据权利要求1所述一种X射线探伤周向曝光模拟器，其中特征在于，所述射线管的外部设有保护壳；所述检测台的一侧与所述射线管的另一端套筒连接。