1.一种硅基超宽谱光子吸收器，所述的光子吸收器为复合层式结构，其特征在于：沿着光入射方向依次包括第一金属薄膜层、第一无序纳米碗阵列层、硅基底、第二无序纳米碗阵列层、第二金属薄膜层；所述的第一无序纳米碗阵列层和第二无序纳米碗阵列层在双面均抛光的硅基底上刻蚀所得；所述的第一金属薄膜层以第一无序纳米碗阵列层为基底沉积所得，第二金属薄膜层以第二无序纳米碗阵列层为基底沉积所得；所述的第一金属薄膜层和第二金属薄膜层的厚度均为10～40nm；所述的第一无序纳米碗阵列层和第二无序纳米碗阵列层中的纳米碗的直径范围为40～500nm，深度为50～1000nm。

2.根据权利要求1所述的一种硅基超宽谱光子吸收器，其特征在于：所述的第一无序纳米碗阵列层和第二无序纳米碗阵列层中的纳米碗阵列为密排形貌，所有纳米碗的投影面积之和占器件整体投影面积的填充比为50％～100％，单个纳米碗呈现随机分布。

3.根据权利要求1所述的一种硅基超宽谱光子吸收器，其特征在于：双面抛光的所述硅基底的厚度为50～1000μm。