1.一种器件连接结构，其特征在于，所述器件连接结构包括：基板(110)；

分布在所述基板(110)上的多个器件(120)；

覆盖在多个所述器件(120)上的导体层(130)，所述导体层(130)与多个所述器件(120)电连接，所述导体层(130)上开设有至少一个镂空区(131)，所述镂空区(131)位于相邻的所述器件(120)之间。

2.根据权利要求1所述的器件连接结构，其特征在于，所述导体层(130)上远离所述器件(120)的表面为轴对称形状。

3.根据权利要求1所述的器件连接结构，其特征在于，所述导体层(130)上远离所述器件(120)的表面为中心对称形状。

4.根据权利要求1所述的器件连接结构，其特征在于，所述器件(120)在所述基板(110)上呈环状排布，所述镂空区(131)的数量为一个、且位于所述环状的中心位置。

5.根据权利要求1所述的器件连接结构，其特征在于，所述器件(120)呈矩阵形式排布，相邻两行所述器件(120)之间的区域和/或相邻两列所述器件(120)之间的区域开设有所述镂空区(131)。

6.根据权利要求5所述的器件连接结构，其特征在于，每相邻两行所述器件(120)之间的区域开设有一个所述镂空区(131)，所述镂空区(131)沿行的长度方向延伸，所述镂空区(131)的长度小于每行的长度。

7.根据权利要求6所述的器件连接结构，其特征在于，相邻两个所述镂空区(131)错位设置。

8.根据权利要求5所述的器件连接结构，其特征在于，每相邻两行所述器件(120)之间的区域开设有两个间隔的所述镂空区(131)，两个所述镂空区(131)分别分布在所述导体层(130)的两侧、且均延伸至所述导体层(130)的边缘。

9.根据权利要求5所述的器件连接结构，其特征在于，所述器件(120)的行数为M，前N行所述器件(120)中，相邻两行所述器件(120)之间的区域，后M‑N行所述器件(120)中，相邻两列所述器件(120)之间的区域开设有所述镂空区(131)，其中，M、N均为正整数，M大于N。

10.一种半导体，其特征在于，所述半导体包括权利要求1～9任一项所述的器件连接结构。