1.一种电路连接结构，其特征在于，所述电路连接结构包括：两个间隔设置的连接端(140)；

第一金属层(110)，形成在两个所述连接端(140)上、并与两个所述连接端(140)电连接；

第一绝缘层(120)，形成在所述第一金属层(110)上，所述第一绝缘层(120)上间隔设置有两个第一通孔(121)；

第二金属层(130)，形成在所述第一绝缘层(120)上，所述第一金属层(110)通过两个所述第一通孔(121)与所述第二金属层(130)电连接。

2.根据权利要求1所述的电路连接结构，其特征在于，两个所述第一通孔(121)分别与两个所述连接端(140)同轴线设置。

3.根据权利要求1所述的电路连接结构，其特征在于，所述电路连接结构还包括：第二绝缘层(150)，形成在所述第二金属层(130)上，所述第二绝缘层(150)上间隔设置有两个第二通孔(151)，所述第二通孔(151)与所述第二金属层(130)电连接；

第三金属层(160)，形成在所述第二绝缘层(150)上、且与所述第二通孔(151)电连接。

4.根据权利要求3所述的电路连接结构，其特征在于，两个所述第一通孔(121)分别与两个所述连接端(140)同轴线设置，两个所述第二通孔(151)分别与两个所述第一通孔(121)同轴线设置。

5.根据权利要求3所述的电路连接结构，其特征在于，所述第一金属层(110)、所述第二金属层(130)和两个所述第一通孔(121)的截面组成口字形结构，所述第一金属层(110)、所述第二金属层(130)、所述第三金属层(160)、两个所述第一通孔(121)和两个所述第二通孔(151)的截面组成日字形结构。

6.一种器件，其特征在于，所述器件包括本体(210)和权利要求1～5任一项所述的电路连接结构，所述电路连接结构位于所述本体(210)的内部。

7.一种器件，其特征在于，所述器件包括本体(210)和权利要求1～5任一项所述的电路连接结构，所述电路连接结构位于所述本体(210)的外部。

8.一种半导体，其特征在于，所述半导体包括基板和权利要求6或7所述的器件，所述器件安装在所述基板上。

9.一种半导体，其特征在于，所述半导体包括基板和权利要求1～5任一项所述的电路连接结构，所述器件安装在所述基板上。

10.一种半导体，其特征在于，所述半导体包括基板、两个器件和权利要求1～5任一项所述的电路连接结构，所述器件安装在所述基板上，两个所述连接端(140)分别位于两个所述器件上。