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专利号: 2020226429917
申请人: 苏州腾晖光伏技术有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-08-28
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于P型硅片的太阳能电池片,包括P型硅片、形成于所述P型硅片正面的正面介质层、位于所述正面介质层上的正面电极、形成于所述P型硅片背面的背面介质层及位于所述背面介质层上的背面电极,其特征在于:所述P型硅片的局部掺杂铝而具有铝掺杂区域,所述正面电极包括铝层及形成于所述铝层之上的银层,所述铝层形成于所述铝掺杂区域上。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于:所述正面电极为栅线状。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于:所述正面介质层包括形成于所述P型硅片正面上的钝化层及层叠于所述钝化层上的减反层。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于:所述P型硅片的背面形成有隧穿氧化层,所述隧穿氧化层上层叠有N型多晶硅层,所述背面介质层层叠于所述N型多晶硅层上。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池片,其特征在于:所述背面电极为栅线状银电极,所述栅线状银电极穿过所述背面介质层而和所述N型多晶硅层形成金属接触。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于:所述背面介质层为氮化硅保护层。