1.一种太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片包括：P型硅片；

P型轻掺杂层，其形成于所述P型硅片的正面上，所述P型硅片的局部上开设有槽，所述槽延伸至所述P型硅片的正面而使所述P型硅片的局部表面露出；

P型重掺杂部，其形成于所述P型硅片的位于所述槽内的表面上；

正面介质层，其形成于所述P型轻掺杂层上；

正面电极，其形成于所述P型重掺杂部上；

背面介质层，其形成于所述P型硅片的背面之上；及背面电极，其穿过所述背面介质层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述P型重掺杂部的宽度40~

200um。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于：所述正面电极穿透所述正面介质层与所述P型重掺杂部形成欧姆接触。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池片，其特征在于：所述正面电极宽度小于所述P型重掺杂部宽度。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述太阳能电池片还包括形成于所述P型硅片的背面上的隧穿氧化层及形成于所述隧穿氧化层上的N型晶硅薄层，所述背面介质层形成于所述N型晶硅薄层上，所述背面电极穿过所述背面介质层而和所述N型晶硅薄层接触。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池片，其特征在于：所述隧穿氧化层的厚度为1 2nm。

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7.根据权利要求5所述的太阳能电池片，其特征在于：所述背面介质层为氮化硅层、氧化铝层、氧化硅层、氮氧化硅层。

8.根据权利要求5所述的太阳能电池片，其特征在于：所述背面电极穿透所述背面介质层与所述N型晶硅薄层接触。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述P型轻掺杂层的方阻为1502

Ω/sq以上，暗复合电流J0e<10fA/cm。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述正面介质层为氮化硅层、氧化铝层、氧化硅层、氮氧化硅层。