1.一种波长选择性响应的光电探测器，所述的探测器为复合层式结构，其特征在于：沿着光入射方向依次包括透明基底、纳米孔图案化金属薄膜层、光敏半导体材料层、致密金属薄膜层、绝缘保护层、以及分别在纳米孔图案化金属薄膜层和致密金属薄膜层引出的两个引线端；所述的纳米孔图案化金属薄膜层沉积于透明基底，并呈周期性排列分布；所述的光敏半导体材料层包括：单一的n型掺杂半导体层、单一的p型掺杂半导体层、构筑成p‑n结型半导体层、构筑成n‑p结型半导体层之一；所述的致密金属薄膜层与光敏半导体材料层形成欧姆接触；当光敏半导体材料层为单一的n型掺杂半导体层或单一的p型掺杂半导体层时，所述的纳米孔图案化金属薄膜层与光敏半导体材料层形成肖特基接触；当光敏半导体材料层为构筑成p‑n结型半导体层或构筑成n‑p结型半导体层，所述的纳米孔图案化金属薄膜层与光敏半导体材料层形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的一种波长选择性响应的光电探测器，其特征在于：纳米孔图案化金属薄膜层与致密金属薄膜层形成法布里‑珀罗谐振腔。

3.根据权利要求1所述的一种波长选择性响应的光电探测器，其特征在于：所述纳米孔图案化金属薄膜层的厚度为50～100nm；所述纳米孔图案为三角排列，直径为100～1000nm，纳米孔面积占空比为8％～30％。

4.根据权利要求1所述的一种波长选择性响应的光电探测器，其特征在于：所述纳米孔图案化金属薄膜层的材质为金、银、铝中任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种波长选择性响应的光电探测器，其特征在于：在所述纳米孔图案化金属薄膜层和所述透明基底之间设置厚度为2～5nm的粘附层。

6.根据权利要求1所述的一种波长选择性响应的光电探测器，其特征在于：透明基底为石英玻璃。

7.根据权利要求1所述的一种波长选择性响应的光电探测器，其特征在于：绝缘保护层为有机硅胶、聚氟乙烯、聚乙烯醇缩丁醛、乙烯聚醋酸乙烯酯中的任一种。