1.一种大功率发光半导体器件，包括上壳体(1)，其特征在于：所述上壳体(1)的下方设置有下壳体(2)，所述上壳体(1)的底部设置有芯片(5)，所述芯片(5)上设置有激光器(6)，激光器(6)的右侧设置有左透镜(17)、右透镜(7)，所述左透镜(17)与右透镜(7)之间设置有隔离器(18)，所述右透镜(7)的右侧设置有光纤(16)，所述芯片(5)的底部设置有半导体制冷片(4)，所述半导体制冷片(4)下方设置有自然散热装置(8)和风冷装置(10)，所述自然散热装置(8)包括一组固定连接在半导体制冷片(4)下端面上的散热片(9)，所述风冷装置(10)包括设置在下壳体(2)左侧壁上的风扇(12)。

2.根据权利要求1所述的一种大功率发光半导体器件，其特征在于：所述散热片(9)上固定连接有一组贯通的导热管(11)，所述散热片(9)上设置有穿孔，所述导热管(11)穿设在穿孔中，导热管(11)左端位于风扇(12)的右侧，导热管(11)右端穿出下壳体(2)的右壁。

3.根据权利要求2所述的一种大功率发光半导体器件，其特征在于：所述导热管(11)的左端固定连接有风罩(13)，所述风罩(13)罩设在风扇(12)的外侧。

4.根据权利要求3所述的一种大功率发光半导体器件，其特征在于：所述上壳体(1)的底部设置有插接座(14)，所述半导体制冷片(4)插接在插接座(14)中。

5.根据权利要求4所述的一种大功率发光半导体器件，其特征在于：所述半导体制冷片(4)与芯片(5)之间设置有导热硅胶片(15)。

6.根据权利要求5所述的一种大功率发光半导体器件，其特征在于：所述下壳体(2)的前后两端镂空设置并固定连接有防护网(3)。