1.一种背入射p‑i‑n结构钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：FTO导电薄膜的处理；

氧化铜纳米阵列空穴传输层的制备；

钙钛矿光吸收层的制备；

电子传输层的制备；

透明复合电极的制备；

所述氧化铜纳米阵列空穴传输层的制备步骤如下：（1）将醋酸铜溶解于乙醇中，在室温下搅拌得的蓝色澄清透明溶液；

（2）将上述溶液通过匀胶机旋涂在洁净的FTO导电玻璃上，得到均匀的醋酸铜薄膜；

（3）在马弗炉中退火得到致密的氧化铜薄膜；

（4）将其置三水合硝酸铜和六次甲基四胺组成的水溶液中，密封后于90℃烘箱中反应

1‑2小时，得到氧化铜纳米棒阵列；

所述背入射p‑i‑n结构钙钛矿太阳电池由下往上依次包括阳极、氧化铜阵列、钙钛矿光吸收层、电子传输层和背入射阴极。

2.如权利要求1所述的一种背入射p‑i‑n结构钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于：所述阴极为透明导电玻璃。

3.如权利要求2所述的一种背入射p‑i‑n结构钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于：所述透明导电玻璃为氟锡氧化物、铟锡氧化物、铝锌氧化物的一种。

4.如权利要求1所述的一种背入射p‑i‑n结构钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于：所述钙钛矿光吸收层选自CH3NH3PbI3或CH3NH3PbBr3薄膜的一种。

5.如权利要求1所述的一种背入射p‑i‑n结构钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于：所述电子传输层为PC61BM。

6.如权利要求1所述的一种背入射p‑i‑n结构钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于：所述阳极为透明复合电极V2O5/Ag/V2O5。

7.如权利要求1所述的一种背入射p‑i‑n结构钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿光吸收层为CH3NH3PbI3钙钛矿光吸收层，其具体制备方法如下：（1）将CH3NH2和 PbI2加入在到有机混合溶剂中，该有机混合溶剂由 ‑丁内酯和二甲基亚砜按照体积比7：3配制而成；然后在搅拌得到黄色澄清的钙钛矿前驱液；

（2）在氮气手套箱中利用匀胶机将钙钛矿前驱液旋涂在上述步骤得到的氧化铜纳米棒阵列上，并在氮气手套箱中利用加热板对基底进行退火得到CH3NH3PbI3钙钛矿光吸收层。

8.如权利要求1所述的一种背入射p‑i‑n结构钙钛矿太阳电池的制备方法，其特征在于，所述电子传输层具体制备方法如下：（1）将PC61BM粉末溶解在氯苯中；

（2）氮气手套箱中将上述溶液通过匀胶机旋涂在CH3NH3PbI3钙钛矿光吸收层上；

（3）氮气手套箱中利用加热板对基底进行退火。