1.一种调控无铅双钙钛矿基阻变存储器实现多态存储的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）制备Cs2AgBiBr6样品：将BiBr3、AgBr和CsBr以1:1:2的摩尔比溶于有机溶剂DMSO中，在恒温手套箱中加热到60 70℃，搅拌10小时以上，得到清亮的黄色目标溶液，然后通过溶~胶‑凝胶法制备目标样品：先将铟锡氧化物导电玻璃衬底，即ITO/glass作为基底固定在匀胶机上，然后以400rpm以上的转速，将目标溶液在ITO/glass基底上旋涂10 s以上，再以

4000 rpm以上的转速条件旋涂30s以上，最后在200 300℃电热板上退火5 10分钟，得到黄~ ~色的Cs2AgBiBr6薄膜；

2）制备Cs2AgBiBr6基阻变存储器件：将步骤1）得到的Cs2AgBiBr6薄膜表面用N2气枪清理干净后置于磁控溅射腔内，通过磁控溅射方式，在Cs2AgBiBr6薄膜表面溅射得到Pt电极，Pt电极的厚度在150nm以上，进而得到Pt/Cs2AgBiBr6/ITO/glass器件；

3）光照调控Pt/Cs2AgBiBr6/ITO/glass器件阻变特性：将Pt/Cs2AgBiBr6/ITO/glass器件置于445 nm激光光照中，以上下加电压的方式对器件进行扫描电压下的电性测试，扫描方式为0→VSET→VRESET‑1/VRESET‑2→0，其中VSET为置位电压，VRESET‑1、VRESET‑2为复位电压，随后，将光照下所测试得的最大高、低阻态比对应的电压定为读取电压Vr，以VSET→Vr→0→VRESET‑1→Vr→0→VRESET‑2→0的循环测试模式进行阻态稳定性的测试。

2.根据权利要求1所述的调控无铅双钙钛矿基阻变存储器实现多态存储的方法，其特征在于，所述步骤1）中搅拌10 15小时，以400 600rpm的转速，在ITO/glass基底上旋涂10~ ~ ~

20s，再以4000 6000 rpm的转速条件旋涂30 50s。

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