1.一种双阴离子掺杂聚吡咯电极片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将吡咯和一价阴离子掺杂剂溶于极性溶剂中，得到混合溶液；所述一价阴离子掺杂剂中的一价阴离子包括苯磺酸根离子、萘磺酸根离子、烷基硫酸根离子、烷基苯磺酸根离子和烷基萘磺酸根离子中的一种或多种；

(2)将所述混合溶液和氧化剂混合，发生聚合反应，将聚合反应所得沉淀干燥后得到一价阴离子掺杂聚吡咯，将所述一价阴离子掺杂聚吡咯制备成电极片；

或者将所述步骤(2)替换为步骤(2’)：将集流体浸渍到所述混合溶液中进行电化学氧化聚合，得到电极片；

(3)将所述电极片浸入到含有高价阴离子掺杂剂的溶液中，进行电化学循环，得到双阴离子掺杂聚吡咯电极片；所述高价阴离子掺杂剂中的高价阴离子为间苯二磺酸根、萘二磺酸根和萘三磺酸根中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述极性溶剂为水、乙醇、甲醇、乙腈、N,N‑二甲基甲酰胺或二甲基亚砜。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述一价阴离子掺杂剂和吡咯的摩尔比为(0.01～10)：1。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的氧化剂为氯化铁、过硫酸钠、过磷酸钠、次氯酸钠或过氧乙酸；所述氧化剂和吡咯的摩尔比为(0.1～5)：1。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2’)中，进行所述电化学氧化聚合采用的方法为恒压脉冲法、恒流脉冲法、恒电流法、恒电压法、循环伏安法或动电位扫描法。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含有高价阴离子掺杂剂的溶液的浓度为0.005～1.0M。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电化学循环采用横流充放电法、恒压充放电法或循环伏安法。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，将所述一价阴离子掺杂聚吡咯制备成电极片的过程包括：将所述一价阴离子掺杂聚吡咯、粘结剂、导电剂与溶剂混合，得到电极浆液，将所述电极浆液干燥然后压成薄片，将所述薄片压制到集流体上，得到电极片。

9.权利要求1～8任一项所述制备方法制备得到的双阴离子掺杂聚吡咯电极片。

10.一种超级电容器，包括电解液和权利要求9所述的双阴离子掺杂聚吡咯电极片。