1.一种Ho掺杂Bi2S3纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）将0.0243 g ~0.0728 g Bi(NO3)3·5H2O溶于10 mL分析纯冰醋酸中得A溶液；

（2）将0.0360 g ~0.1080 g Na2S·9H2O溶于10 mL无水甲醇中得B溶液；

（3）将FTO裁片垂直放入步骤（1）所得A溶液浸泡30秒，用滤纸吸收底部水珠后直立放入

50 ℃烘箱中烘干2 分钟，取出冷却后将其放入步骤（2）所得B溶液中浸泡30秒，用滤纸吸收底部水珠后直立放入50 ℃烘箱中烘干2分钟；

（4）步骤（3）过程重复三次后，将处理后FTO裁片放入马弗炉以10 ℃/min的升温速率在

100 ℃~300 ℃中退火100 ~200 分钟后，用去离子水清洗三次烘干，即在FTO上生长Bi2S3晶种 即Bi2S3/FTO，待用；

（5）称取0.0485 g~0.9700 g Bi(NO3)3·5H2O、0.0000 g~0.0123 g Ho(NO3)3·5H2O于

15 mL去离子水中超声5分钟，再称取0.0744 g~1.4890 g Na2S2O3·5H2O溶解于上述溶液中；使用浓度为1 mol/L的NaOH溶液将溶液pH调至4.8后定容为20 mL，再倒入反应釜；

（6）将步骤（4）所得Bi2S3/FTO放入步骤（5）反应釜中，导电面朝下，将反应釜置于120 ℃~200 ℃烘箱反应4 ~12 小时，冷却，取出Bi2S3/FTO并用质量百分比浓度为50%的乙醇水溶液清洗三次，氮气干燥后放入马弗炉，以5 ℃/min的升温速率150 ℃ 350 ℃，保温90  210 ~ ~分钟，即获得纯Bi2S3或Ho掺杂Bi2S3薄膜，其光电压值为0.0734 V ~0.2650 V。