1.一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤(1).将衬底通过热蒸发法在其表面沉积100‑500nm厚度的金薄膜；

步骤(2).将基底用盐酸、去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，并置于石英管的一端，其正下方放置步骤(1)的产物，基底与金薄膜之间相距500nm‑1mm；

步骤(3).将氨硼烷，装入石英管中，并置于石英管的另一端，氨硼烷与基底之间距离

10‑25cm；

步骤(4).将步骤(3)的石英管两端密封，并抽真空；

步骤(5).将步骤(4)石英管放入管式电炉中，升温至900～1050℃，升温速率为20～30℃/min；温度升至900～1050℃后保温，保温时间为30～120min；

步骤(6).管式电炉、石英管停止加热，开启管式炉，将石英管室温环境下快速冷却到室温，然后取出基底，在基底上获得金掺杂的h‑BN薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于：所述的石英管直径为2cm。

3.根据权利要求1所述的一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于：所述衬底为硅片、石英玻璃。

4.根据权利要求1所述的一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于：所述基底为铜片、镍片、硅片。

5.根据权利要求1所述的一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于：所述的基底尺寸为0.5～1.0cm×0.5～1.0cm。

6.根据权利要求1所述的一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于：所述的衬底尺寸为1.0cm×1.0cm。

7.根据权利要求1所述的一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤(1)中的金薄膜替换为银薄膜。