1.一种集成电路器件，其特征在于，包括：在衬底上阵列排布的多个开关晶体管以及设置于所述衬底上的连接结构；

所述衬底上划分有邻接的第一区域和第二区域；

所述连接结构包括第一金属层，所述第一金属层层叠设置于所述第一区域的开关晶体管的栅极之上，分别与所述栅极以及控制单元连接；

所述连接结构还包括第二金属层；

所述第二金属层层叠设置于所述第一金属层之上，所述第一金属层通过所述第二金属层与所述控制单元连接；

所述第二金属层包括至少一条第一金属线以及至少一条第二金属线；

各所述第一金属线分别与所述第一金属层以及所述控制单元连接，所述第一区域的开关晶体管通过所述第一金属层以及各所述第一金属线接收所述控制单元发送的控制信号，所述第一区域的开关晶体管处于截止状态，以截断第一区域流向第二区域的漏电流；

各所述第二金属线分别与所述第二区域的工作器件以及所述控制单元连接，所述工作器件通过各所述第二金属线接收所述控制单元发送的工作信号，通过所述工作信号进行工作。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述连接结构还包括第一连接层，所述第一连接层设置于所述开关晶体管的栅极与所述第一金属层之间，与所述栅极连接；所述第一金属层通过所述第一连接层与所述开关晶体管的栅极连接。

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，其特征在于，所述连接结构还包括第二连接层，所述第二连接层设置于所述第一连接层与所述第一金属层之间，用于连通所述第一金属层与所述第一连接层。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述连接结构还包括第三连接层，所述第三连接层设置于所述第一金属层与所述第二金属层之间，用于连通所述第一金属层与所述第二金属层。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述开关晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。

6.一种存储器，其特征在于，包括权利要求1‑5任一项所述的集成电路器件。

7.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求6所述的存储器。