1.一种利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法，包括碳化硅原料置于高纯石墨坩埚中，采用物理气相输运法制备碳化硅陶瓷，其特征在于，所述碳化硅原料在高纯石墨坩埚中自下而上分为三层，分别为碳化硅和淀粉形成的混合粉料A层，碳化硅和氮化硼形成的混合粉料B层以及碳化硅粉形成的粉料C层；

混合粉料A层、混合粉料B层和粉料C层在高纯石墨坩埚中的厚度比为1∶(4‑6)：(2‑3)；

混合粉料A层中淀粉的加入量为碳化硅的5‑10wt％；混合粉料B层中氮化硼的加入量为碳化硅的0.1‑5wt％；

所述混合粉料B的制备方法包括以下步骤：

取碳化硅粉料、氮化硼、粘合剂混合均匀后进行湿法球磨得到混合粉浆，混合粉浆进行喷雾干燥，得到混合粉料B；

所述碳化硅原料在高纯石墨坩埚中的填料高度为坩埚高度的1/4‑1/2；

所述粘合剂用量为碳化硅粉料的0.3‑1.5wt％，喷雾干燥温度为100‑150℃；所述粘合剂为聚酰亚胺。

2.根据权利要求1所述的利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：(1)将混合粉料A、混合粉料B、 粉料C依次置于高纯石墨坩埚中，扣合坩埚盖；

(2)向坩埚中通入保护气体，使坩埚压力至3000～6000Pa，使坩埚底部温度为2000～

2450℃，温度梯度为10～30℃/min，进入碳化硅多晶体生长阶段；

(3)生长阶段结束后升压降温至正常压力温度状态，得到碳化硅陶瓷。

3.根据权利要求2所述的利用氮化硼提高碳化硅陶瓷生长速率的方法，其特征在于，所述步骤(3)中降温速率为10‑30℃/min。