1.一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN HEMT，其特征在于：包括自下而上依次设置的衬底(101)、成核层(102)、非掺杂GaN缓冲层(103)、GaN沟道层(104)、AlGaN势垒层(105)以及在AlGaN势垒层(105)上分别设置的漏极(106)、栅极(107)和源极(108)；其中，栅极(107)设置在中间位置；在栅极(107)之下的GaN沟道层(104)中设置有一个正离子注入区(109)，向正离子注入区(109)中注入正离子，所注入的正离子为带一价正电的离子；所述正

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离子注入区(109)中注入的正离子为锂离子；所注入的正离子浓度为不低于10 cm 量级。

2.根据权利要求1所述的基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN HEMT，其特征为：所述的衬底(101)选自蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化镓或氮化铝材料中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN HEMT，其特征为：所述成核层(102) 选自AlN、GaN或AlGaN材料的至少一种。

4.根据权利要求1所述的基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN HEMT，其特征为：所述漏极(106)、栅极(107)和源极(108)采用的电极材料选自Ni、Al、In、Au、Ti中的一种或几种材料所形成的合金。

5.根据权利要求1所述的基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN HEMT，其特征为：所述漏极(106)和源极(108)与AlGaN势垒层(105)之间形成欧姆接触，所述栅极(107)与AlGaN势垒层(105)之间形成肖特基接触。

6.根据权利要求1所述的基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN HEMT，其特征为：所述正离子注入区位于栅极(107)正下方的GaN沟道层(104)中。

7.根据权利要求1所述的基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN HEMT，其特征为：所注入的正离子的浓度峰值位于邻近异质界面的GaN沟道层(104)中。