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专利号: 2021102075642
申请人: 西南交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种低剖面低RCS法布里‑珀罗谐振腔天线,包括源天线部分和非完整部分反射表面部分,所述非完整部分反射表面部分包括自上而下依次设置的第一介质基板和第二介质基板,第一介质基板和第二介质基板的表面积相同,所述第一介质基板的上表面均匀设置有多个上层AMC贴片,第一介质基板和第二介质基板之间均匀设置有多个中间层PRS贴片,第二介质基板的下表面均匀设置偶遇多个下层AMC贴片,所述上层AMC贴片、中间层PRS贴片和下层AMC贴片自上而下一一对应设置;所述源天线部分包括第三介质基板,第三介质基板的表面积大于第二介质基板的表面积,所述第三介质基板的上表面设置有一个辐射贴片和多个源天线层AMC贴片,辐射贴片和源天线层AMC贴片呈阵列设置,且辐射贴片位于阵列中部,所述源天线层AMC贴片和下层AMC贴片之间存在空气间隙,所述第三介质基板的下表面设置有天线地板,所述天线地板的底部设置有SAM探针接头,所属SAM探针接头通过激励探针与辐射贴片连接;

其特征在于,所述第三介质基板包括第一反射区和第二反射区,所述第一反射区的源天线层AMC贴片与非完整部分反射表面部分的下层AMC贴片一一对应设置,所述第二反射区的源天线层AMC贴片环绕第一反射区设置。

2.根据权利要求1所述的低剖面低RCS法布里‑珀罗谐振腔天线,其特征在于,所述上层AMC贴片呈周期性阵列设置。

3.根据权利要求1所述的低剖面低RCS法布里‑珀罗谐振腔天线,其特征在于,所述上层AMC贴片呈9×9阵列设置,且第一排和第九排的1、2、3、7、8、9号位空缺,第二排、第三排、第七排和第八排的1、9号位空缺。

4.根据权利要求1所述的低剖面低RCS法布里‑珀罗谐振腔天线,其特征在于,所述源天线层AMC贴片呈11×11阵列设置,且第六排的6号位空缺并安放辐射贴片。

5.根据权利要求1所述的低剖面低RCS法布里‑珀罗谐振腔天线,其特征在于,所述上层AMC贴片、下层AMC贴片和源天线层AMC贴片结构相同。

6.根据权利要求5所述的低剖面低RCS法布里‑珀罗谐振腔天线,其特征在于, AMC贴片包括中心圆部分贴片、圆环部分贴片和多个支部贴片,所述中心圆部分贴片位于圆环部分贴片内,且中心圆部分贴片和圆环部分贴片之间存在空隙,所述支部贴片均匀环绕圆环部分贴片设置,且支部贴片均匀设置有多条隔断缝隙。

7.根据权利要求6所述的低剖面低RCS法布里‑珀罗谐振腔天线,其特征在于, AMC贴片包括四个支部贴片。

8.根据权利要求6所述的低剖面低RCS法布里‑珀罗谐振腔天线,其特征在于,所述支部贴片和圆环部分贴片之间存在空隙。

9.根据权利要求6所述的低剖面低RCS法布里‑珀罗谐振腔天线,其特征在于,所述支部贴片上设置有两条隔断缝隙。