1.高密度层错的碳化硅材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步：选择烧结碳化硅；

第二步：利用硅源对碳化硅材料进行硅离子辐照；

第三步：退火处理。

2.根据权利要求1所述的高密度层错的碳化硅材料制备方法，其特征在于，第一步中的3

碳化硅为六方结构，晶粒尺寸在4‑10μm，致密度3.1g/cm ，六方结构碳化硅相含量≥98％，杂质含量控制在<2％范围。

3.根据权利要求1所述的高密度层错的碳化硅材料制备方法，其特征在于，第二步的硅

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离子辐照条件为：辐照能量为500keV‑5MeV，辐照流强为1‑10微安，辐照剂量为1‑10×10 /2

cm，室温辐照。

4.根据权利要求1所述的高密度层错的碳化硅材料制备方法，其特征在于，第三步退火条件为：温度为900‑1200℃，保温30分钟，采用加热棒升温，自然降温。

5.高密度层错的碳化硅材料，其特征在于，根据权利要求1到4任一项所述的制备方法所得。