1.一种LSPR多波长窄带可调谐传感器，其特征是：从下到上依次为硅衬底、SiO2膜、Al2O3膜、石墨烯薄膜，石墨烯薄膜上具有E字形金纳米颗粒周期排列。

2.根据权利要求1所述的LSPR多波长窄带可调谐传感器，其特征是：硅衬底上覆盖的SiO2层厚度为T2＝1600nm。

3.根据权利要求1所述的LSPR多波长窄带可调谐传感器，其特征是：SiO2上覆盖的氧化铝(aluminium oxide，Al2O3)厚度为T1＝2200nm。

4.根据权利要求1所述的LSPR多波长窄带可调谐传感器，其特征是：石墨烯固定在Al2O3上，其上E字形金纳米颗粒周期排列，周期P为1500nm。

5.根据权利要求1或4所述的LSPR多波长窄带可调谐传感器，其特征是：纳米颗粒长度t1＝600nm，宽度t2＝120nm，开口宽度t3＝440nm，厚度h＝30nm。

6.根据权利要求1所述的LSPR多波长窄带可调谐传感器，其特征是：光垂直于基底平面入射，在波段2000～3000nm内，实现了多波长窄带反射/吸收谱，其中在2290nm处和2500nm处，共振带宽为30nm和10nm。

7.根据权利要求1所述的LSPR多波长窄带可调谐传感器，其特征是：载流子浓度从1×

13 ‑2 13 ‑2

10 cm 到9×10 cm ，反射谱蓝移变窄。

8.根据权利要求1所述的LSPR多波长窄带可调谐传感器，其特征是：外部环境折射率增大时，共振波长红移，各共振峰传感广义品质因数FOM*最高为6401。