1.一种Mist‑CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的方法，其特征在于，ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的组分如下式所示：α‑Ga2O3:x％ZnS，其中，0.01≤x≤0.5，x％为摩尔分数；

采用干雾化学气相沉积法制备，具体步骤如下：(a)按照化学计量比称量纯度均大于99.99％的C15H21O6Ga、C2H6Zn、CH4S作为原料，将上述原料在室温下溶于去离子水中，配制成金属离子与硫离子的浓度之和浓度为0.01～

0.05mol/L的前驱体溶液；然后向前驱体溶液中加入浓度为30～40％的盐酸溶液，前驱体溶液与盐酸溶液的体积比为(80～200)：1；

(b)将蓝宝石衬底(3)依次使用丙酮、乙醇溶液、去离子水进行超声清洗，用氮气吹干后，将蓝宝石衬底(3)在管式炉中退火；

(c)操控Mist‑CVD设备，将蓝宝石衬底(3)置于反应腔(4)中；

(d)向Mist‑CVD设备的反应腔(4)，通入氮气，使氮气充满整个反应腔(4)；

(e)将前驱体溶液加入到雾化罐(1)中并通过液位控制装置(2)采用差速蠕动的方式实现液位控制，设置反应腔(4)内的反应温度为300～400℃，雾化罐(1)的超声雾化频率为1.7～2.4MHZ，使用载气控制系统(5)将氮气作为载气，将雾化罐中(1)的雾滴送进反应腔(4)内进行沉积，沉积生长30～60min后得到薄膜初品；

(f)将薄膜初品放入管式炉中进行退火处理后得到薄膜，退火温度为500～700℃，退火时间为20～40min。

2.根据权利要求1所述的一种Mist‑CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的方法，其特征在于，步骤(b)中，超声清洗时间为15～25min。

3.根据权利要求1或2所述的一种Mist‑CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的方法，其特征在于，步骤(d)中，所述氮气的流速为2～4L/min。

4.根据权利要求1或2所述的一种Mist‑CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的方法，其特征在于，步骤(e)中，反应腔(4)内反应时保持常压。

5.根据权利要求1或2所述的一种Mist‑CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的方法，其特征在于，步骤(e)中，薄膜初品的厚度为200～300nm。

6.根据权利要求1或2所述的一种Mist‑CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的方法，其特征在于，步骤(f)中，退火气氛为氧气。

7.一种ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜，由权利要求1至7中任一项所述制备方法制备而成，其特征

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在于，薄膜的自由电子浓度为4×10 ～1×10 cm ，电导率为550～625S cm 。