1.一种采用混合半导体技术的RCC电路，其特征在于，包括第一GaN HEMT器件Q1、第二GaN HEMT器件Q2、Si基LDMOS器件Q3、功率电路主变压器和自激驱动与逐周期检测电路，所述Si基LDMOS器件Q3的漏极连接第一GaN HEMT器件Q1的源极，并且Si基LDMOS器件Q3的源极接地，所述第二GaN HEMT器件Q2的漏极连接至Si基LDMOS器件Q3的栅极而第二GaN HEMT器件Q2的源极也接地；

所述第一GaN HEMT器件Q1的开关控制采用源极驱动方案，通过控制与之串联的Si基LDMOS器件Q3的开、关间接控制第一GaN HEMT器件Q1的开、关，所述Si基LDMOS器件Q3的驱动信号由功率电路主变压器的第三辅助绕组Na，采用正反馈模式的自激驱动腔提供，所述自激驱动与逐周期检测电路由集成式的高频电流逐周期检测电路与自激驱动腔共用一个线圈构成，并与VCC电压源连接；

所述VCC电压源第一级形成环路由第三辅助线圈Na、第二电容C2和第三二极管D3构成，所述VCC电压源第二级形成环路由第二电容C2、第四二极管D4和第三电容C3构成。

2.根据权利要求1所述的一种采用混合半导体技术的RCC电路，其特征在于：所述Si基LDMOS器件Q3上连接有高压启动电阻，阻值为680kΩ‑3MΩ，且Si基LDMOS器件Q3栅极上还连接有第一保护稳压管Dz1。

3.根据权利要求1所述的一种采用混合半导体技术的RCC电路，其特征在于：所述Si基LDMOS器件Q3的驱动由第三辅助线圈Na经由隔直电容C1和正反馈电阻R1提供。

4. 根据权利要求1所述的一种采用混合半导体技术的RCC电路，其特征在于：所述第一GaN HEMT器件Q1、第二GaN HEMT器件Q2和Si基LDMOS器件Q3共用一个晶圆，且第一GaN HEMT器件Q1和第二GaN HEMT器件Q2采用同一个硅衬底。

5. 根据权利要求1所述的一种采用混合半导体技术的RCC电路，其特征在于：所述第一GaN HEMT器件Q1采用耗尽型器件，阈值电压< 1V，所述第二GaN HEMT器件Q2采用增强型器件，阈值电压范围在1‑1.5V。

6. 根据权利要求1所述的一种采用混合半导体技术的RCC电路，其特征在于：所述Si基LDMOS器件Q3的栅极驱动信号通过第二稳压管Dz2、第三电阻R3和第一电阻R1传递给第二GaN HEMT器件Q2的栅极。

7. 根据权利要求1所述的一种采用混合半导体技术的RCC电路，其特征在于：所述功率电路主变压器的副边输出电压经由隔离反馈网络，通过第八电阻R8送到第二GaN HEMT器件Q2的栅极。

8. 根据权利要求1所述的一种采用混合半导体技术的RCC电路，其特征在于：所述功率电路主变压器的副边输出电压无需经由隔离反馈网络，将第一GaN HEMT器件Q1的漏极通过第三稳压管Dz3、第六电阻R6和第五电容C5与VCC电压源连接，所述第五电容C5上并联有第七电阻R7；

且第一GaN HEMT器件Q1的漏极通过第三稳压管Dz3、第六电阻R6和第八电阻R8与第二GaN HEMT器件Q2的栅极连接。

9. 根据权利要求1所述的一种采用混合半导体技术的RCC电路，其特征在于：所述第一GaN HEMT器件Q1和第二GaN HEMT器件Q2采用集成式反向并联二极管结构。