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专利号: 2021103052084
申请人: 重庆邮电大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种采用基片集成波导技术的宽带圆极化端射天线,其特征在于,该天线为单层介质板结构,包括由上层金属表面(1)、介质基板(3)和下层金属底面(4)按照自上而下顺序堆叠成的单层电路板基板;所述单层电路板基板上设置有两列金属化过孔(5)构成基片集成波导结构(SIW);所述基片集成波导结构的上端为基片集成波导端口(2)用于对后端的天线辐射单元进行馈电;所述基片集成波导结构的下端口为端射天线辐射单元,端射天线辐射单元的上层金属表面(1)和下层金属底面(4)分别蚀刻有一个钳形缺口(6),所述钳形缺口(6)使下端口辐射出的电磁波的极化模式变为左旋圆极化。

2.根据权利要求1所述的一种采用基片集成波导技术的宽带圆极化端射天线,其特征在于,上层金属表面(1)的钳形缺口在下层金属底面的投影位置与下层金属底面(4)的钳形缺口位置关于z轴对称。

3.根据权利要求1或2所述的一种采用基片集成波导技术的宽带圆极化端射天线,其特征在于,上层金属表面和下层金属底面的单个钳形缺口由两个不同大小的矩形缺口组成,其中,较大的缺口用于调节天线的圆极化特性,较小的缺口用于调节天线的匹配特性。

4.根据权利要求1所述的一种采用基片集成波导技术的宽带圆极化端射天线,其特征在于,所述圆极化端射天线辐射单元的端射方向上加载有一个辐射引向器(7),辐射引向器(7)用于改善所述端射天线辐射单元的工作带宽以及辐射性能。

5.根据权利要求4所述的一种采用基片集成波导技术的宽带圆极化端射天线,其特征在于,所述辐射引向器(7)为半圆形或长方形,设置在端射天线的正z轴方向上;辐射引向器(7)的宽度和端射单元的频率有关,辐射引向器的尺寸用于调节天线的辐射增益和轴比带宽。

6.根据权利要求4所述的一种采用基片集成波导技术的宽带圆极化端射天线,其特征在于,辐射引向器(7)的材料和介质基板(3)的材料相同。

7.根据权利要求1所述的一种采用基片集成波导技术的宽带圆极化端射天线,其特征在于,介质基板(3)的厚度为1.52mm。